3.4A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 53
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.Nuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-eGaN®FETKY™HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIµCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V15 V20 V30 V40 V55 V100 V115 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,4.5V2.5V,8V3V,10V4.5V,10V5V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 1.5A,5V30 毫欧 @ 1.5A,4.5V30 毫欧 @ 1.5A,5V39 毫欧 @ 4A,4.5V40 毫欧 @ 4.7A,4.5V45 毫欧 @ 1A,4.5V48 毫欧 @ 1A,4.5V51 毫欧 @ 3.4A,4.5V57 毫欧 @ 3.4A,8V59 毫欧 @ 3A,4.5V60 毫欧 @ 2.5A,4.5V60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1V @ 1mA1V @ 236µA1V @ 250µA1.1V @ 10µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.4V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.93 nC @ 5 V1.1 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 4.5 V3 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 10 V3.5 nC @ 5 V3.8 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-12V-6V+6V,-4V+8V,-12V±8V±10V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
105 pF @ 6 V118 pF @ 7.5 V152 pF @ 10 V190 pF @ 15 V205 pF @ 15 V208 pF @ 50 V218 pF @ 10 V228 pF @ 10 V251 pF @ 50 V270 pF @ 24 V275 pF @ 10 V277 pF @ 10 V
FET 功能
-标准肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)500mW500mW(Ta)590mW(Ta),5.6W(Tc)600mW(Ta)700mW(Ta)760mW(Ta)800mW(Ta)810mW810mW(Ta)860mW(Ta)900mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 85°C(TA)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
4-CSP(0.8x0.8)4-WLCSP(1.6x1.6)6-TSOP6-UDFN(1.6x1.6)8-DFN(3x2)8-SO8-SOICES6Micro3™/SOT-23Micro6™(TSOP-6)Power33PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
3-XFDFN4-UFBGA,WLCSP4-XFBGA4-XFLGA,CSP6-PowerUFDFN6-PowerXDFN8-PowerTDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-23-6SOT-563,SOT-666TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
53结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 53
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
99,051
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83909
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V3.4A(Ta)2.5V,4.5V63 毫欧 @ 3.4A,4.5V1.1V @ 10µA2.9 nC @ 4.5 V±12V270 pF @ 24 V-1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
52,518
现货
1 : ¥4.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.62163
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V3.4A(Ta)4.5V,10V112 毫欧 @ 3.4A,10V3V @ 250µA37 nC @ 10 V±20V1110 pF @ 25 V-2W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro6™(TSOP-6)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOIC
FDS86106
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
onsemi
2,379
现货
1 : ¥10.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.30710
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V3.4A(Ta)6V,10V105 毫欧 @ 3.4A,10V4V @ 250µA4 nC @ 10 V±20V208 pF @ 50 V-5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
DMN2046U-7
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
Diodes Incorporated
281,600
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55131
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)2.5V,4.5V72 毫欧 @ 3.6A,4.5V1.4V @ 250µA3.8 nC @ 4.5 V±12V292 pF @ 10 V-760mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV50XNEAR
PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Nexperia USA Inc.
4,594
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73046
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V3.4A(Ta)2.5V,8V57 毫欧 @ 3.4A,8V1.25V @ 250µA5 nC @ 4.5 V±12V296 pF @ 15 V-590mW(Ta),5.6W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-236ABTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X4-DSN1006-3
DMP2078LCA3-7
MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Diodes Incorporated
26,171
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.69742
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)1.8V,8V78 毫欧 @ 500mA,8V1.2V @ 250µA1.6 nC @ 4.5 V-12V228 pF @ 10 V-810mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型X4-DSN1006-33-XFDFN
SOT-23-3
ZXMN2F34FHTA
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
46,320
现货
3,000
工厂
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02542
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)2.5V,4.5V60 毫欧 @ 2.5A,4.5V1.5V @ 250µA2.8 nC @ 4.5 V±12V277 pF @ 10 V-950mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN2A14FTA
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
30,552
现货
1 : ¥4.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59014
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)2.5V,4.5V60 毫欧 @ 3.4A,4.5V700mV @ 250µA(最小)6.6 nC @ 4.5 V±12V544 pF @ 10 V-1W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
FDT458P
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
onsemi
9,059
现货
1 : ¥6.26000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.38452
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V3.4A(Ta)4.5V,10V130 毫欧 @ 3.4A,10V3V @ 250µA3.5 nC @ 10 V±20V205 pF @ 15 V-3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223-4TO-261-4,TO-261AA
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
EPC
83,643
现货
1 : ¥9.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.92267
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET(氮化镓)15 V3.4A(Ta)5V30 毫欧 @ 1.5A,5V2.5V @ 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V---40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型模具模具
EPC2216
EPC2216
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
EPC
38,682
现货
1 : ¥11.38000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.70720
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET(氮化镓)15 V3.4A(Ta)5V26 毫欧 @ 1.5A,5V2.5V @ 1mA1.1 nC @ 5 V+6V,-4V118 pF @ 7.5 V标准--40°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型模具模具
PowerPAK 1212-8
SI7810DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8,798
现货
1 : ¥11.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.87868
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V3.4A(Ta)6V,10V62 毫欧 @ 5.4A,10V4.5V @ 250µA17 nC @ 10 V±20V--1.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7810DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
861
现货
1 : ¥11.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.87868
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V3.4A(Ta)6V,10V62 毫欧 @ 5.4A,10V4.5V @ 250µA17 nC @ 10 V±20V--1.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8
87,312
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68634
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)1.8V,4.5V82 毫欧 @ 3.4A,4.5V1.2V @ 250µA7 nC @ 4.5 V±12V522 pF @ 10 V-1.25W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2046U-13
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
Diodes Incorporated
10,000
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.45586
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)2.5V,4.5V72 毫欧 @ 3.6A,4.5V1.4V @ 250µA3.8 nC @ 4.5 V±12V292 pF @ 10 V-760mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3096LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,895
现货
18,000
工厂
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72016
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V3.4A(Ta)4.5V,10V70 毫欧 @ 3.8A,10V2.1V @ 250µA7.5 nC @ 10 V±20V366 pF @ 25 V-800mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-23-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
DMP2042UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Diodes Incorporated
2,960
现货
228,000
工厂
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16627
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)2.5V,4.5V48 毫欧 @ 1A,4.5V1.2V @ 250µA2.5 nC @ 4.5 V-6V218 pF @ 10 V-860mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型X1-DSN1010-4(C 型)4-XFBGA
SOT 26
DMP2130LDM-7
MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
Diodes Incorporated
2,970
现货
24,000
工厂
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20866
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)2.5V,4.5V80 毫欧 @ 4.5A,4.5V1.25V @ 250µA7.3 nC @ 4.5 V±12V443 pF @ 16 V-1.25W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-26SOT-23-6
U-DFN2020-6 Type E
DMT12H090LFDF4-7
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Diodes Incorporated
3,000
现货
243,000
工厂
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.90402
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)115 V3.4A(Ta)3V,10V90 毫欧 @ 3.5A,10V2.2V @ 250µA6 nC @ 10 V±12V251 pF @ 50 V-900mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型X2-DFN2020-66-PowerXDFN
Power33
FDMC86248
MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
onsemi
14,860
现货
6,000
工厂
1 : ¥16.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.20736
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V3.4A(Ta)6V,10V90 毫欧 @ 3.4A,10V4V @ 250mA9 nC @ 10 V±20V525 pF @ 75 V-2.3W(Ta),36W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Power338-PowerTDFN
6-TSOP
NTGS3447PT1G
MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V3.4A(Ta)1.8V,4.5V40 毫欧 @ 4.7A,4.5V1V @ 250µA15 nC @ 4.5 V±8V1053 pF @ 6 V-700mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSOPSOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOIC
FDS9400A
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V3.4A(Ta)4.5V,10V130 毫欧 @ 1A,10V3V @ 250µA3.5 nC @ 5 V±25V205 pF @ 15 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-UDFN_517AU
NTLUS3A39PZCTAG
MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)1.5V,4.5V39 毫欧 @ 4A,4.5V1V @ 250µA10.4 nC @ 4.5 V±8V920 pF @ 15 V-600mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFN(1.6x1.6)6-PowerUFDFN
6-UDFN_517AU
NTLUS3A39PZTAG
MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
onsemi
0
现货
在售
卷带(TR)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)1.5V,4.5V39 毫欧 @ 4A,4.5V1V @ 250µA10.4 nC @ 4.5 V±8V920 pF @ 15 V-600mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFN(1.6x1.6)6-PowerUFDFN
6-UDFN_517AU
NTLUS3A39PZTBG
MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
onsemi
0
现货
在售
卷带(TR)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.4A(Ta)1.5V,4.5V39 毫欧 @ 4A,4.5V1V @ 250µA10.4 nC @ 4.5 V±8V920 pF @ 15 V-600mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFN(1.6x1.6)6-PowerUFDFN
显示
/ 53

3.4A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。