3.4A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 56
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedEPCFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.Nuvoton Technology CorporationonsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationToshiba Semiconductor and StorageUMW
系列
-*eGaN®FETKY™HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIµCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V15 V20 V30 V40 V55 V100 V115 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,4.5V2.5V,8V3V,10V4.5V,10V5V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
26 毫欧 @ 1.5A,5V30 毫欧 @ 1.5A,4.5V30 毫欧 @ 1.5A,5V39 毫欧 @ 4A,4.5V40 毫欧 @ 4.7A,4.5V45 毫欧 @ 1A,4.5V48 毫欧 @ 1A,4.5V51 毫欧 @ 3.4A,4.5V57 毫欧 @ 3.4A,8V59 毫欧 @ 3A,4.5V60 毫欧 @ 2.5A,4.5V60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1V @ 1mA1V @ 236µA1V @ 250µA1.1V @ 10µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.4V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.93 nC @ 5 V1.1 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 4.5 V2.9 nC @ 4.5 V3 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 5 V3.5 nC @ 10 V3.8 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-12V-6V+6V,-4V+8V,-12V±8V±10V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
105 pF @ 6 V118 pF @ 7.5 V152 pF @ 10 V190 pF @ 15 V205 pF @ 15 V208 pF @ 50 V218 pF @ 10 V228 pF @ 10 V251 pF @ 50 V270 pF @ 24 V275 pF @ 10 V277 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)500mW500mW(Ta)590mW(Ta),5.6W(Tc)600mW(Ta)700mW(Ta)760mW(Ta)800mW(Ta)810mW810mW(Ta)860mW(Ta)900mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 85°C(TA)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
4-CSP(0.8x0.8)4-WLCSP(1.6x1.6)6-TSOP6-UDFN(1.6x1.6)8-DFN(3x2)8-SO8-SOICES6Micro3™/SOT-23Micro6™(TSOP-6)Power33PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
3-XFDFN4-UFBGA,WLCSP4-XFBGA4-XFLGA,CSP6-PowerUFDFN6-PowerXDFN8-PowerTDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
56结果
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/ 56
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
54,252
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78747
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
63 毫欧 @ 3.4A,4.5V
1.1V @ 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
19,152
现货
1 : ¥5.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.37790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.4A(Ta)
4.5V,10V
112 毫欧 @ 3.4A,10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-SOIC
FDS86106
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
onsemi
6,727
现货
1 : ¥11.88000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.91030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.4A(Ta)
6V,10V
105 毫欧 @ 3.4A,10V
4V @ 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
208 pF @ 50 V
-
5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
EPC2216
EPC2216
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
EPC
32,683
现货
1 : ¥13.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.27354
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
15 V
3.4A(Ta)
5V
26 毫欧 @ 1.5A,5V
2.5V @ 1mA
1.1 nC @ 5 V
+6V,-4V
118 pF @ 7.5 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
PowerPAK 1212-8
SI7810DN-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
6,183
现货
1 : ¥16.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.65944
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.4A(Ta)
6V,10V
62 毫欧 @ 5.4A,10V
4.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-23-3
DMN2046U-7
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
Diodes Incorporated
232,009
现货
1,407,000
工厂
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.41002
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
72 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.4V @ 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
±12V
292 pF @ 10 V
-
760mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV50XNEAR
PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Nexperia USA Inc.
18,807
现货
1 : ¥2.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68754
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
2.5V,8V
57 毫欧 @ 3.4A,8V
1.25V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±12V
296 pF @ 15 V
-
590mW(Ta),5.6W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X4-DSN1006-3
DMP2078LCA3-7
MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Diodes Incorporated
24,930
现货
1 : ¥2.69000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.62355
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
1.8V,8V
78 毫欧 @ 500mA,8V
1.2V @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
-12V
228 pF @ 10 V
-
810mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X4-DSN1006-3
3-XFDFN
SOT-23-3
ZXMN2F34FHTA
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
32,244
现货
114,000
工厂
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.98685
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 2.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±12V
277 pF @ 10 V
-
950mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMN2A14FTA
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
10,554
现货
99,000
工厂
1 : ¥5.21000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49910
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
6.6 nC @ 4.5 V
±12V
544 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-223-4
FDT458P
MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
onsemi
15,848
现货
16,000
工厂
1 : ¥7.57000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.18083
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 3.4A,10V
3V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
205 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
EPC
44,413
现货
1 : ¥11.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.64995
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
15 V
3.4A(Ta)
5V
30 毫欧 @ 1.5A,5V
2.5V @ 1mA
0.93 nC @ 5 V
-
105 pF @ 6 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
模具
模具
4,000
现货
1 : ¥4.23000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.90854
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
1.5V,4.5V
59 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
10.4 nC @ 4.5 V
±8V
630 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
ES6
SOT-563,SOT-666
Power33
FDMC86248
MOSFET N CH 150V 3.4A POWER33
onsemi
14,540
现货
1 : ¥17.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.71557
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
3.4A(Ta)
6V,10V
90 毫欧 @ 3.4A,10V
4V @ 250mA
9 nC @ 10 V
±20V
525 pF @ 75 V
-
2.3W(Ta),36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerTDFN
SOT-23-3
DMN2046U-13
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
Diodes Incorporated
9,886
现货
30,000
工厂
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.42465
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
72 毫欧 @ 3.6A,4.5V
1.4V @ 250µA
3.8 nC @ 4.5 V
±12V
292 pF @ 10 V
-
760mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3096LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
2,660
现货
1 : ¥2.44000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
4.5V,10V
70 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
7.5 nC @ 10 V
±20V
366 pF @ 25 V
-
800mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DT2042-04SOQ-7
DMP2130LDM-7
MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
Diodes Incorporated
2,850
现货
138,000
工厂
1 : ¥4.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18978
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
2.5V,4.5V
80 毫欧 @ 4.5A,4.5V
1.25V @ 250µA
7.3 nC @ 4.5 V
±12V
443 pF @ 16 V
-
1.25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
U-DFN2020-6 Type E
DMT12H090LFDF4-7
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Diodes Incorporated
2,980
现货
201,000
工厂
1 : ¥8.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.58230
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
115 V
3.4A(Ta)
3V,10V
90 毫欧 @ 3.5A,10V
2.2V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±12V
251 pF @ 50 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN2020-6
6-PowerXDFN
6-TSOP
NTGS3447PT1G
MOSFET P-CH 12V 3.4A 6TSOP
onsemi
0
现货
8,980
市场
停产
-
卷带(TR)
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.4A(Ta)
1.8V,4.5V
40 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
1053 pF @ 6 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
15,309
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61287
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
1.8V,4.5V
82 毫欧 @ 3.4A,4.5V
1.2V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±12V
522 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-UDFN_517AU
NTLUS3A39PZCTAG
MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
onsemi
0
现货
30,000
市场
停产
卷带(TR)
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
1.5V,4.5V
39 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
10.4 nC @ 4.5 V
±8V
920 pF @ 15 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
6-PowerUFDFN
NTLUS3A39PZTAG
MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
onsemi
0
现货
160,793
市场
2,000 : ¥2.21412
卷带(TR)
卷带(TR)
卷带(TR)
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
1.5V,4.5V
39 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
10.4 nC @ 4.5 V
±8V
920 pF @ 15 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
6-UDFN_517AU
NTLUS3A39PZTBG
MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
onsemi
0
现货
33,000
市场
在售
卷带(TR)
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.4A(Ta)
1.5V,4.5V
39 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
10.4 nC @ 4.5 V
±8V
920 pF @ 15 V
-
600mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
8-SOIC
FDS9400A
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
26,104
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.4A(Ta)
4.5V,10V
130 毫欧 @ 1A,10V
3V @ 250µA
3.5 nC @ 5 V
±25V
205 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS3612
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Fairchild Semiconductor
3,042
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.4A(Ta)
6V,10V
120 毫欧 @ 3.4A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
632 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
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3.4A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。