10A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 188
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedEPCInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSTMicroelectronicsTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-eGaN®HEXFET®NexFET™OptiMOS™PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™SDMOS™STripFET™ F6STripFET™ H6TrenchFET®U-MOSIV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V33 V40 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V450 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V4V,10V4.5V4.5V,10V5V6V,10V7V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.1 毫欧 @ 7.5A,10V6.5 毫欧 @ 14A,4.5V7.5 毫欧 @ 14A,4.5V7.75 毫欧 @ 14A,4.5V8.25 毫欧 @ 14A,4.5V8.5 毫欧 @ 14A,10V8.5 毫欧 @ 15A,10V8.75 毫欧 @ 14A,4.5V9 毫欧 @ 14A,10V9.1 毫欧 @ 13A,10V10 毫欧 @ 10A,10V10 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 850µA900mV @ 250µA900mV @ 600µA1V @ 1mA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 250µA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.2V @ 250µA1.4V @ 1mA1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.2 nC @ 5 V2.5 nC @ 5 V2.8 nC @ 5 V6.9 nC @ 4.5 V7.1 nC @ 4.5 V7.2 nC @ 4.5 V7.5 nC @ 4.5 V7.9 nC @ 10 V8 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 10 V8.4 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-8V-6V+6V,-4V+6V,-5V±8V+10V,-20V±10V±12V±16V+20V,-25V20V±20V±25V30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
238 pF @ 40 V300 pF @ 20 V325 pF @ 20 V410 pF @ 10 V420 pF @ 15 V430 pF @ 25 V448 pF @ 15 V478.9 pF @ 15 V493.5 pF @ 15 V520 pF @ 15 V530 pF @ 20 V543 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
550mW(Ta)650mW(Ta)730mW(Ta)810mW(Ta)890mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta)1W(Ta),15W(Tc)1W(Ta),52W(Tc)1.1W(Ta)1.25W(Ta)1.39W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)6-TSOP-F6-UDFNB(2x2)6-WDFN(2x2)8-DFN(3x2)8-ECH8-HSMT(3.2x3)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-SO8-SOIC8-SOP Advance(5x5)8-SOP
封装/外壳
6-PowerUDFN6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)8-PowerDFN8-PowerSOIC(0.173",4.40mm 宽)8-PowerTDFN8-PowerUDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
188结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-HSMT
RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Rohm Semiconductor
90,071
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11419
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta)4.5V,10V10.4 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 1mA22 nC @ 10 V±20V1100 pF @ 15 V-2W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-HSMT(3.2x3)8-PowerVDFN
U-DFN2020-6 Type E
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Diodes Incorporated
24,521
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.95087
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta)4.5V,10V12 毫欧 @ 11A,10V2V @ 250µA25.1 nC @ 10 V±20V1415 pF @ 15 V-730mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型U-DFN2020-6(E 类)6-PowerUDFN
204,589
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.67130
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V10A(Ta)4.5V,10V10 毫欧 @ 10A,10V3V @ 250µA37 nC @ 10 V±20V1950 pF @ 20 V-1.7W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
IRF7416TRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Infineon Technologies
11,491
现货
1 : ¥7.89000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.25470
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 5.6A,10V1V @ 250µA92 nC @ 10 V±20V1700 pF @ 25 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-223 (TO-261)
NTF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
onsemi
43,447
现货
1 : ¥10.89000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.50882
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V10A(Ta)2.5V,4.5V50 毫欧 @ 6A,4.5V1V @ 250µA20 nC @ 4.5 V±8V1200 pF @ 16 V-8.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223(TO-261)TO-261-4,TO-261AA
8-SOIC
FDS6575
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
onsemi
11,678
现货
1 : ¥11.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.60746
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V10A(Ta)2.5V,4.5V13 毫欧 @ 10A,4.5V1.5V @ 250µA74 nC @ 4.5 V±8V4951 pF @ 10 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
IRF7854TRPBF
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Infineon Technologies
16,813
现货
1 : ¥12.60000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.66324
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)80 V10A(Ta)10V13.4 毫欧 @ 10A,10V4.9V @ 100µA41 nC @ 10 V±20V1620 pF @ 25 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
eGaN Series
EPC2014C
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
EPC
60,209
现货
1 : ¥13.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.37966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET(氮化镓)40 V10A(Ta)5V16 毫欧 @ 10A,5V2.5V @ 2mA2.5 nC @ 5 V+6V,-4V300 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型模具模具
11,598
现货
1 : ¥14.23000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.16921
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V10A(Ta)10V112 毫欧 @ 5A,10V4V @ 300µA11 nC @ 10 V±20V1100 pF @ 100 V-1.6W(Ta),57W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP Advance(5x5)8-PowerVDFN
8-SOIC
SI4421DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Vishay Siliconix
6,380
现货
1 : ¥16.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.40174
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V10A(Ta)1.8V,4.5V8.75 毫欧 @ 14A,4.5V800mV @ 850µA125 nC @ 4.5 V±8V--1.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4423DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
Vishay Siliconix
3,779
现货
1 : ¥20.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.39143
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V10A(Ta)1.8V,4.5V7.5 毫欧 @ 14A,4.5V900mV @ 600µA175 nC @ 5 V±8V--1.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMG4496SSS-13
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
18,226
现货
45,000
工厂
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.97143
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta)4.5V,10V21.5 毫欧 @ 10A,10V2V @ 250µA10.2 nC @ 10 V±25V493.5 pF @ 15 V-1.42W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
30,341
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01512
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V10A(Ta)1.8V,8V16.2 毫欧 @ 4A,8V1V @ 1mA19.5 nC @ 4.5 V±10V1400 pF @ 6 V-1.25W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFNB(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
88,191
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04084
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V10A(Ta)1.5V,4.5V15.3 毫欧 @ 4A,4.5V1V @ 1mA29.9 nC @ 4.5 V±8V2600 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFNB(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
8-HSMT
RQ3G100GNTB
MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
Rohm Semiconductor
110,698
现货
1 : ¥4.23000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.42907
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V10A(Ta)4.5V,10V14.3 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 1mA8.4 nC @ 10 V±20V615 pF @ 20 V-2W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-HSMT(3.2x3)8-PowerVDFN
TO-252-2
DMG4800LK3-13
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Diodes Incorporated
6,352
现货
27,500
工厂
1 : ¥4.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.59015
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta)4.5V,10V17 毫欧 @ 9A,10V1.6V @ 250µA8.7 nC @ 5 V±25V798 pF @ 10 V-1.71W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5,780
现货
1 : ¥5.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.17625
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta)4.5V,10V13 毫欧 @ 5A,10V2V @ 500µA64 nC @ 10 V+20V,-25V2580 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SO
DMP2022LSS-13
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Diodes Incorporated
37,347
现货
1 : ¥5.85000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.21136
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V10A(Ta)2.5V,10V13 毫欧 @ 10A,10V1.1V @ 250µA56.9 nC @ 10 V±12V2444 pF @ 10 V-2.5W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SO8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-TSOP-F
SSM6K819R,LXHF
AUTO AEC-Q SS MOS N-CH LOGIC-LEV
Toshiba Semiconductor and Storage
7,420
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.36227
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V10A(Ta)4.5V,10V25.8 毫欧 @ 4A,10V2.5V @ 100µA8.5 nC @ 4.5 V±20V1110 pF @ 15 V-1.5W(Ta)175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSOP-F6-SMD,扁平引线
RB098BM-40FNSTL
RD3L01BATTL1
PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
4,416
现货
1 : ¥9.02000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.74334
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V10A(Ta)4.5V,10V84 毫欧 @ 10A, 10V2.5V @ 1mA15.2 nC @ 10 V±20V1200 pF @ 30 V-26W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型TO-252TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-223 (TO-261)
NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
onsemi
7,900
现货
1 : ¥9.92000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.11656
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V10A(Ta)2.5V,4.5V50 毫欧 @ 6A,4.5V1V @ 250µA20 nC @ 4.5 V±8V1200 pF @ 16 V-8.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-223(TO-261)TO-261-4,TO-261AA
6-WDFN Exposed Pad
FDMA905P
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
onsemi
13,952
现货
1 : ¥10.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.41468
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V10A(Ta)1.8V,4.5V16 毫欧 @ 10A,4.5V1V @ 250µA29 nC @ 6 V±8V3405 pF @ 6 V-2.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-MicroFET(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
RB098BM-40FNSTL
RD3P100SNTL1
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
Rohm Semiconductor
16,718
现货
1 : ¥11.79000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.87531
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V10A(Ta)4V,10V133 毫欧 @ 5A,10V2.5V @ 1mA18 nC @ 10 V±20V700 pF @ 25 V-20W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Rohm Semiconductor
6,774
现货
1 : ¥13.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.90784
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V10A(Ta)4V,10V12.6 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 1mA68 nC @ 10 V±20V3600 pF @ 10 V-650mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
870
现货
1 : ¥13.74000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V10A(Ta)10V750 毫欧 @ 5A,10V4V @ 1mA30 nC @ 10 V±30V1130 pF @ 300 V-40W(Tc)150°C--通孔TO-220SISTO-220-3 整包
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10A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。