820mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
250 毫欧 @ 1A,4.5V495 毫欧 @ 800mA,4.5V750 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.62 nC @ 4.5 V0.622 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 4.5 V3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
59.76 pF @ 16 V80 pF @ 10 V120 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta),4.7W(Tc)310mW(Ta)490mW(Ta)
供应商器件封装
DFN0603-3(SOT8013)SOT-323X1-DFN1212-3
封装/外壳
3-UDFN0201(0603 公制)SC-70,SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
330,071
现货
1,695,000
工厂
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47725
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V820mA(Ta)1.8V,4.5V750 毫欧 @ 430mA,4.5V1V @ 250µA0.622 nC @ 4.5 V±6V59.76 pF @ 16 V-310mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-323SC-70,SOT-323
SOT-323
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
17,032
现货
759,000
工厂
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51798
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V820mA(Ta)1.8V,4.5V750 毫欧 @ 430mA,4.5V1V @ 250µA0.62 nC @ 4.5 V±6V59.76 pF @ 16 V-310mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-323SC-70,SOT-323
3-XDFN
DMP21D0UFD-7
MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
Diodes Incorporated
6,007
现货
2,313,000
工厂
1 : ¥3.90000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87011
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V820mA(Ta)1.5V,4.5V495 毫欧 @ 800mA,4.5V1.2V @ 250µA3 nC @ 4.5 V±8V80 pF @ 10 V-490mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型X1-DFN1212-33-UDFN
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX300UNEZ
PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
12,755
现货
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.27918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V820mA(Ta)1.8V,4.5V250 毫欧 @ 1A,4.5V900mV @ 250µA2.1 nC @ 4.5 V±8V120 pF @ 15 V-300mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
SOT-323
DMG1013UWQ-13
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
37,186
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.42830
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V820mA(Ta)1.8V,4.5V750 毫欧 @ 430mA,4.5V1V @ 250µA0.62 nC @ 4.5 V±6V59.76 pF @ 16 V-310mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-323SC-70,SOT-323
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820mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。