0201(0603 公制) 单 FET,MOSFET

结果 : 8
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA(Ta)500mA(Ta)820mA(Ta)900mA(Ta)1.3A(Ta)1.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 1A,4.5V210 毫欧 @ 1A,4.5V250 毫欧 @ 1A,4.5V500 毫欧 @ 1A,4.5V800 毫欧 @ 400mA,10V850mOhm @ 600mA, 4.5V1.1 欧姆 @ 400mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1 nC @ 10 V1.1 nC @ 10 V2.1 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
32 pF @ 30 V39 pF @ 30 V120 pF @ 15 V123 pF @ 10 V124 pF @ 15 V127 pF @ 10 V144 pF @ 10 V146 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
300mW(Ta),4.7W(Tc)500mW(Ta),4.7W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
27,843
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.64909
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V800 毫欧 @ 400mA,10V2.5V @ 250µA1.1 nC @ 10 V±20V39 pF @ 30 V-300mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX100UNZ
PMX100UN/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
49,667
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.69491
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1.3A(Ta)1.8V,4.5V210 毫欧 @ 1A,4.5V900mV @ 250µA2.3 nC @ 4.5 V±12V144 pF @ 10 V-300mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX400UPZ
PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
16,600
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.73564
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V900mA(Ta)1.8V,4.5V500 毫欧 @ 1A,4.5V900mV @ 250µA2.4 nC @ 4.5 V±12V146 pF @ 10 V-500mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX300UNEZ
PMX300UNE/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
12,755
现货
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.27918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V820mA(Ta)1.8V,4.5V250 毫欧 @ 1A,4.5V900mV @ 250µA2.1 nC @ 4.5 V±8V120 pF @ 15 V-300mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX100UNEZ
PMX100UNE/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
299
现货
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.27918
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1.4A(Ta)1.8V,4.5V160 毫欧 @ 1A,4.5V900mV @ 250µA2.1 nC @ 4.5 V±8V123 pF @ 10 V-300mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
0
现货
查看交期
1 : ¥3.41000
散装
-
散装
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V500mA(Ta)4.5V,10V1.1 欧姆 @ 400mA,10V2.5V @ 250µA1 nC @ 10 V±20V32 pF @ 30 V-300mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX800UPEZ
PMX800UPE/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
15,000 : ¥0.75091
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V900mA(Ta)1.8V,4.5V850mOhm @ 600mA, 4.5V1V @ 250µA2.1 nC @ 4.5 V±8V124 pF @ 15 V-300mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX400UPEZ
PMX400UPE/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
15,000 : ¥0.75091
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V900mA(Ta)1.8V,4.5V500 毫欧 @ 1A,4.5V950mV @ 250µA2.3 nC @ 4.5 V±8V127 pF @ 10 V-300mW(Ta),4.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DFN0603-3(SOT8013)0201(0603 公制)
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0201(0603 公制) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。