Name: SQJ963EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ963EP-T1_GE3TR-ND
Price: 14.39 CNY
Availability: InStock

SQJ963EP-T1_GE3
DigiKey 零件编号	SQJ963EP-T1_GE3TR-ND - 卷带（TR） SQJ963EP-T1_GE3CT-ND - 剪切带（CT）
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SQJ963EP-T1_GE3
描述	MOSFET 2P-CH 60V 8A PPAK SO8
原厂标准交货期	27 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 60V 8A（Tc） 27W（Tc）表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SQJ963EP-T1_GE3 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET®
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态	在售
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 个 P 沟道（双）
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	85 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1140pF @ 30V
功率 - 最大值	27W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TA）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装	PowerPAK® SO-8 双
基本产品编号	SQJ963