PowerPAK SO-8
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SIRA28BDP-T1-GE3

Digi-Key 零件编号
SIRA28BDP-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR)
SIRA28BDP-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT)
SIRA28BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SIRA28BDP-T1-GE3
供应商
描述
MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
原厂标准交货期
32 周
详细描述
表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Ta),38A(Tc) 3.8W(Ta),17W(Tc) PowerPAK® SO-8
客户内部零件编号
规格书  规格书
产品属性
类型
描述
选择
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A(Ta),38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+20V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
582 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),17W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 单价
(含13%增值税)
扩充价格
(含13%增值税)
1¥4.61000¥4.61
10¥3.94700¥39.47
100¥2.94510¥294.51
500¥2.31366¥1,156.83
1,000¥1.78792¥1,787.92
卷带(TR)
数量 单价
(含13%增值税)
扩充价格
(含13%增值税)
6,000¥1.57755¥9,465.30
其他资源
属性描述
其他名称
SIRA28BDP-T1-GE3CT
SIRA28BDP-T1-GE3TR
SIRA28BDP-T1-GE3DKR
标准包装3,000