SI5997DU-T1-GE3

DigiKey 零件编号
SI5997DU-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR）
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SI5997DU-T1-GE3
描述
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 30V 6A 10.4W 表面贴装型 PowerPAK® ChipFet 双
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
SI5997DU-T1-GE3 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
430pF @ 15V
功率 - 最大值
10.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® CHIPFET™ 双
供应商器件封装
PowerPAK® ChipFet 双
基本产品编号
SI5997