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8-SOIC

SI4114DY-T1-GE3

Digi-Key 零件编号
SI4114DY-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR）
SI4114DY-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT）
SI4114DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
制造商
Vishay Siliconix
制造商产品编号
SI4114DY-T1-GE3
供应商
Vishay Siliconix
描述
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
原厂标准交货期
8 周
详细描述
表面贴装型 N 通道 20V 20A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
客户内部零件编号
媒体和下载
资源类型链接
规格书Si4114DY
视频文件
MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 组装/来源Wafer Site 12/Sep/2018
HTML 规格书Si4114DY
EDA/CAD 模型SI4114DY-T1-GE3 by Ultra Librarian
产品属性
类型
描述
选择
类别
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA
Vgs（最大值）
±16V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），5.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽）
漏源电压（Vdss）
20V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
95nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3700pF @ 10V
基本产品编号
SI4114
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环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
价格与采购
180515 现货
可以立即发货
其他资源
属性描述
其他名称
SI4114DY-T1-GE3TR
SI4114DYT1GE3
标准包装2500