Name: RN2906FE,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2906FELF(CTTR-ND
Price: 1.95 CNY
Availability: InStock

RN2906FE,LF(CT
DigiKey 零件编号	RN2906FELF(CTTR-ND - 卷带（TR） RN2906FELF(CTCT-ND - 剪切带（CT） RN2906FELF(CTDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	RN2906FE,LF(CT
描述	PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装型 ES6
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RN2906FE,LF(CT 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管双极（BJT）双极晶体管阵列，预偏置
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
晶体管类型	2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基极 (R1)	4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)	47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
频率 - 跃迁	200MHz
功率 - 最大值	100mW
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装	ES6
基本产品编号	RN2906

RN2906FE,LF(CT