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FQD13N06TM 已经过时且不再制造。
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类别 | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA |
制造商 | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7.5 nC @ 10 V |
系列 | Vgs（最大值） ±25V |
包装 卷带（TR） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 310 pF @ 25 V |
零件状态 停产 | 功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），28W（Tc） |
FET 类型 | 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） |
技术 | 安装类型 表面贴装型 |
漏源电压（Vdss） 60 V | 供应商器件封装 TO-252AA |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 封装/外壳 |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V | 基本产品编号 |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 140 毫欧 @ 5A，10V |
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替代品 (8)
| 零件编号 | 制造商 | 现有数量 | DigiKey 零件编号 | 单价 | 替代类型 |
|---|---|---|---|---|---|
| FQD13N06LTM | onsemi | 21,351 | FQD13N06LTMCT-ND | ¥9.92000 | MFR Recommended |
| IRFR014PBF | Vishay Siliconix | 1,195 | IRFR014PBF-ND | ¥18.86000 | 类似 |
| IRFR014TRLPBF | Vishay Siliconix | 2,503 | IRFR014TRLPBFCT-ND | ¥18.86000 | 类似 |
| IRFR014TRPBF | Vishay Siliconix | 1,451 | IRFR014TRPBFCT-ND | ¥18.86000 | 类似 |
| IRLR014PBF | Vishay Siliconix | 0 | IRLR014PBF-ND | ¥17.78000 | 类似 |
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