Name: FDB52N20TM
Brand: onsemi
SKU: FDB52N20TMTR-ND
Price: 30.52 CNY
Availability: InStock

图像仅供参考，请参阅产品规格书。

FDB52N20TM
DigiKey 零件编号	FDB52N20TMTR-ND - 卷带（TR） FDB52N20TMCT-ND - 剪切带（CT） FDB52N20TMDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FDB52N20TM
描述	MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
原厂标准交货期	13 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 200 V 52A（Tc） 357W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书

产品属性

筛选类似产品

显示空属性

类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 10 V
系列 UniFET™	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2900 pF @ 25 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 357W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 200 V	供应商器件封装 TO-263（D2PAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 52A（Tc）	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 FDB52N20
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 49 毫欧 @ 26A，10V

报告产品信息错误

文档与媒体

环境与出口分类

其他资源

替代品 (3)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
PSMN057-200B,118	Nexperia USA Inc.	1,864	1727-4774-1-ND	¥31.67000	类似
STB30NF20	STMicroelectronics	1,302	497-7946-1-ND	¥25.31000	类似
STB40NF20	STMicroelectronics	1,297	497-5804-1-ND	¥40.52000	类似