NSM11156DW6T1G | ||
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DigiKey 零件编号 | NSM11156DW6T1G-ND - 卷带(TR) | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | NSM11156DW6T1G | |
描述 | TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 1 PNP 预偏压式,1 PNP 50V,65V 100mA 230mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | NSM11156DW6T1G 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | 卷带(TR) | |
零件状态 | 停产 | |
晶体管类型 | 1 PNP 预偏压式,1 PNP | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V,65V | |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V / 220 @ 2mA,5V | |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 300µA,10mA / 650mV @ 5mA,100mA | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | |
频率 - 跃迁 | - | |
功率 - 最大值 | 230mW | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
基本产品编号 |
文档与媒体
资源类型 | 链接 |
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规格书 | NSM11156DW6T1G |
环保信息 | |
PCN 产品变更/停产 | Multiple Devices 19/Dec/2008 |
HTML 规格书 | NSM11156DW6T1G |
EDA 模型 | NSM11156DW6T1G 型号 |
环境与出口分类
属性 | 描述 |
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湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) |
REACH 状态 | 非 REACH 产品 |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0095 |
其他资源
属性 | 描述 |
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其他名称 | 2156-NSM11156DW6T1G-ONTR ONSONSNSM11156DW6T1G |
标准包装 | 3,000 |