Name: FCD360N65S3R0
Brand: onsemi
SKU: FCD360N65S3R0OSTR-ND
Price: 27.7 CNY
Availability: InStock

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FCD360N65S3R0
DigiKey 零件编号	FCD360N65S3R0OSTR-ND - 卷带（TR） FCD360N65S3R0OSCT-ND - 剪切带（CT） FCD360N65S3R0OSDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	FCD360N65S3R0
描述	MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 10A（Tc） 83W（Tc） TO-252（DPAK）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	FCD360N65S3R0 型号

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1mA
制造商 onsemi	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 18 nC @ 10 V
系列 SuperFET® III	Vgs（最大值） ±30V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 730 pF @ 400 V
零件状态在售	功率耗散（最大值） 83W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 650 V	供应商器件封装 TO-252（DPAK）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Tc）	封装/外壳 TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	基本产品编号 FCD360
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 360 毫欧 @ 5A，10V

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替代品 (5)

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
TK380P65Y,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	2,193	TK380P65YRQCT-ND	¥25.47000	直接
STD16N60M2	STMicroelectronics	3,393	497-15461-1-ND	¥17.78000	类似
TK12P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	1,698	TK12P60WRVQCT-ND	¥31.43000	类似
TSM60NE285CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4,975	1801-TSM60NE285CPROGCT-ND	¥32.91000	类似
XP65SL380DH	YAGEO XSEMI	986	5048-XP65SL380DHCT-ND	¥19.77000	类似

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* 所有 Digi-Reel® 订单会收取 ¥49.00 卷盘费。

卷带（TR）

数量	单价（含 13% 增值税）	总价（含 13% 增值税）
2,500	¥8.01879	¥20,046.97

制造商标准包装

FCD360N65S3R0