Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 230.73 CNY
Availability: InStock

MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 83A（Tc） 410W（Tc）表面贴装型 PG-HDSOP-16-221

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IMSQ120R026M2HHXUMA1
DigiKey 零件编号	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IMSQ120R026M2HHXUMA1
描述	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
原厂标准交货期	54 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 83A（Tc） 410W（Tc）表面贴装型 PG-HDSOP-16-221
规格书	规格书

产品属性

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类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 26 毫欧 @ 27A，18V
制造商 Infineon Technologies	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.1V @ 8.6mA
系列 CoolSiC™ G2	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 54nC @ 0V
包装卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1990pF @ 800V
零件状态在售	功率 - 最大值 410W（Tc）
技术 SiCFET（碳化硅）	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
配置 2 个 N 通道（半桥）	安装类型表面贴装型
漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV）	封装/外壳 24-BSOP（0.606"，15.40mm 宽），16 引线，裸焊盘
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 83A（Tc）	供应商器件封装 PG-HDSOP-16-221