FS100R12KT4B11BOSA1 已经过时且不再制造。
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APTGT75TA120PG
Microchip Technology
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单价: ¥2,085.07600
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FS100R12KT4B11BOSA1

DigiKey 零件编号
FS100R12KT4B11BOSA1-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商产品编号
FS100R12KT4B11BOSA1
描述
IGBT MOD 1200V 100A 515W
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1200 V 100 A 515 W 底座安装 模块
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
EconoPACK™ 2
包装
托盘
零件状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
功率 - 最大值
515 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
6.3 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FS100R12