类别分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 150µA
制造商 Infineon Technologies	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 170 nC @ 10 V
系列 HEXFET®	Vgs（最大值） ±20V
包装卷带（TR）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6540 pF @ 50 V
零件状态停产	功率耗散（最大值） 300W（Tc）
FET 类型 N 通道	工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
技术 MOSFET（金属氧化物）	等级汽车级
漏源电压（Vdss） 60 V	资质 AEC-Q101
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）	安装类型表面贴装型
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V	供应商器件封装 D2PAK
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 毫欧 @ 75A，10V	封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB

零件编号	制造商	现有数量	DigiKey 零件编号	单价	替代类型
IPB120N06S403ATMA2	Infineon Technologies	1,000	448-IPB120N06S403ATMA2CT-ND	¥36.30000	MFR Recommended
IPB029N06N3GATMA1	Infineon Technologies	2,461	IPB029N06N3GATMA1CT-ND	¥30.02000	类似
IPB037N06N3GATMA1	Infineon Technologies	3,727	IPB037N06N3GATMA1CT-ND	¥27.12000	类似
IPB120N06S402ATMA2	Infineon Technologies	987	448-IPB120N06S402ATMA2CT-ND	¥41.60000	类似
AOB266L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1328-2-ND	¥10.42360	类似

AUIRFS3206TRL