Name: TK6A65D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK6A65D(STA4QM)-ND
Price: 21.5 CNY
Availability: InStock

TK6A65D(STA4,Q,M)
DigiKey 零件编号	TK6A65D(STA4QM)-ND
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK6A65D(STA4,Q,M)
描述	MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
原厂标准交货期	16 周
客户内部零件编号
详细描述	通孔 N 通道 650 V 6A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK6A65D(STA4,Q,M) 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	π-MOSVII
包装	管件
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.11 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1050 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	45W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
等级	-
资质	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220SIS
封装/外壳	TO-220-3 整包
基本产品编号	TK6A65

TK6A65D(STA4,Q,M)