采用紧凑型 QFN 8x8 封装的 650 V 碳化硅肖特基二极管

Wolfspeed 的碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能功率电子应用进行了优化

Wolfspeed 第 6 代 SiC 肖特基势垒二极管的图片利用 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管的性能优势,电力电子系统有望满足比基于硅的解决方案更高的效率标准,同时也达到更高的频率和功率密度。SiC 二极管可以轻松并联以满足各种应用需求,而无需担心热失控。结合 SiC 产品更低的冷却要求和更好的热性能,SiC 二极管能够在各种不同的应用中提供更低的整体系统成本。

特性
  • 低正向电压 (VF) 随正温度系数下降
  • 零反向恢复电流/正向恢复电压
  • 与温度无关的开关行为
  • 低电感薄型封装
优势
  • 传导损耗更低,系统效率更高
  • 支持高开关频率操作
  • 提高系统级功率密度
  • 降低系统尺寸、重量和冷却要求
应用
  • 企业电源、服务器和电信电源
  • 开关模式电源
  • 工业电源
  • 增强的功率因数校正
  • 阴极负载二极管
  • LLC 箝位

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes in Compact QFN 8x8 Package

图片制造商零件编号描述可供货数量查看详情
8A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D08065Q-TR8A 650V SIC SCHOTTKY QFN0查看详情
10A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D10065Q-TR10A 650V SIC SCHOTTKY QFN203 - 立即发货查看详情
6A 650V SIC SCHOTTKY QFNC6D06065Q-TR6A 650V SIC SCHOTTKY QFN2671 - 立即发货查看详情
发布日期: 2022-02-01

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