肖特基二极管 - Vishay Semiconductor Opto

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

            650 V 碳化硅肖特基二极管
  
                    Vishay 的 4 A 至 40 A 器件具有合并的 PIN 肖特基设计

Vishay 的 650 V 碳化硅肖特基二极管图片 Vishay 推出具有合并式 PIN 肖特基 (MPS) 设计的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管。这些器件旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率，而不受温度变化的影响，从而使器件可以在更高的温度下工作。器件的 PIN 肖特基 (PIN Schottky) 合并设计屏蔽了肖特基势垒的电场，以减少泄漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与纯硅肖特基器件相比，这些二极管可处理相同水平的电流，而正向压降仅稍有增加，同时显示出更高的耐用性，从而为设计人员提供了系统优化方面更大的灵活性。它们以 2L TO-220AC 和 TO-247AD 3L 封装提供。

特性

合并 PIN 肖特基设计
具有正温度系数，易于并联
温度恒定的开关行为
额定电流范围为 4 A 至 40 A

提供 +175°C 的高温操作
符合 JESD 201 1A 级锡须测试要求
提供 2L TO-220AC 和 TO-247AD 3L 封装

应用

反激式电源供应器中的 PFC 和输出整流
服务器的 LLC 转换器
电信设备

UPS
太阳能逆变器

650 V Silicon Carbide Schottky Diodes

制造商零件编号	描述	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	速度	电流 - 平均整流 (Io)	可供货数量	价格	查看详情
VS-C12ET07T-M3	DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC	65 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	12A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C10ET07T-M3	DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC	55 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	10A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C20ET07T-M3	DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC	100 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	20A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C16ET07T-M3	DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC	45 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	8A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C08ET07T-M3	DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC	45 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	8A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C04ET07T-M3	DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC	25 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	4A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C06ET07T-M3	DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC	75 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	6A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C40CP07L-M3	DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC	100 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	20A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C20CP07L-M3	DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC	55 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	10A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
VS-C16CP07L-M3	DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC	85 µA @ 650 V	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）	16A	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情