Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TK040N65Z 超级结 650 V MOSFET

Toshiba 的 TK040N65Z 高效 DC-DC 转换器/开关稳压器

Toshiba TK040N65Z 超级结 650 V MOSFET 的图片Toshiba TK040N65Z 系列下一代 650 V 功率 MOSFET 适用于数据中心、太阳能 (PV) 功率调节器、不间断电源系统 (UPS) 和其他工业应用中的服务器电源。

DTMOS VI 系列中的第一个器件是 TK040N65Z，这是一款支持高达 57 A 连续漏电流 (ID) 和 228 A (IDP) 脉冲的 650 V 器件。

该器件提供 0.04 Ω（0.033 Ω 典型值）超低漏-源导通电阻 RDS(ON)，可降低功率应用中的损耗。由于减小了设计中的电容，增强模式器件适用于现代高速电源。

由于关键性能指标/品质因数 (FoM) - RDS(ON) x QGD 的降低，电源效率得到提高。与之前的 DTMOS IV-H 器件相比，TK040N65Z 在这一重要指标上的性能提高了 40%，这表明在 2.5 kW PFC 电路中测得的电源效率显着提高了 0.36%。

特性和优势 应用
  • 更低的 RDS(ON) × QGD 允许开关电源以提高效率
  • 数据中心（服务器电源）
  • 光伏发电机的功率调节器
  • 不间断电源系统

TK040N65Z Superjunction 650 V MOSFET

图片制造商零件编号描述25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 650V 57A TO247TK040N65Z,S1FMOSFET N-CH 650V 57A TO24757A（Ta）4V @ 2.85mA105 nC @ 10 V95 - 立即发货$88.13查看详情
发布日期： 2018-09-25

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