STMicroelectronics

600 V MDmesh™ M6 MOSFET 系列

STMicroelectronics 的 N 沟道 MDmesh M6 功率 MOSFET 系列有助于降低开关损耗

STMicroelectronic 的 600 V MDmesh™ M6 MOSFET 系列图片STMicroelectronics MDmesh M6 技术融合了赫赫有名的 MDmesh 系列 SJ MOSFET 的最新发展成果。STMicroelectronics 通过 M6 技术在上一代 MDmesh 器件上构建而成，将出色的单位面积 RDS(ON) 提升与目前最高效的开关特性相结合，同时提供用户友好的产品状态链接体验，以实现最高的终端应用效率。600 V，85mΩ（典型值），30 A MOSFET 采用 TO-247 封装 (STW36N60M6) 或 TO-220 封装 (STP36N60M6)。

特性和优势
  • 减少了开关损耗
  • 与上一代相比降低单位面积 RDS(ON)
  • 栅极输入电阻小
  • 100% 雪崩测试
  • 齐纳保护

应用

  • 开关应用

600 V MDmesh™ M6 MOSFETs Series

图片制造商零件编号描述封装/外壳可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2019-08-22