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MR45V100A 1 Mb FeRAM 存储器 IC
ROHM 的 FeRAM 具有更快的数据重写速度、更高的重写耐用性和更低的功耗
ROHM 的 MR45V100A 1 Mb 铁电随机存取存储器 (FeRAM)，适用于需要快速频繁获取日志数据和/或紧急情况下的快速数据备份的智能电表、测量设备、医疗设备和金融终端等应用。与其他非易失性存储器（如 EEPROM 和闪存）相比，FeRAM 具有更快的数据重写速度、更高的重写耐用性和更低的功耗。
MR45V100A 通过 SPI 总线在 1.8 V 至 3.6 V 的宽电源电压范围内提供高速 40 MHz 工作频率。即使在不稳定的电源环境中突然出现电压下降，1 Mb 的大容量也可确保稳定高速的性能，有助于提高所在设备高速备份时的可靠性。或者，不需要高速运行的应用可以使用特有 I2C 总线 I/F 的 MR44V100A。
此外，考虑到移动应用，待机模式已得到改进，以抑制在内存容量增加时发生的功耗上升，并且已实施睡眠模式以进一步降低功耗。因而待机电流低至 10μA（平均），睡眠电流仅 0.1μA（平均值），使其成为便携式设备和便携式终端（如批准终端和数据记录器）的理想选择，这些终端非常注重电池驱动时间。
特性
- 在 1.8 V 至 3.6 V 的宽范围内实现 40 MHz 工作
- 大容量，低待机/睡眠电流
- 改进的待机模式将待机电流限制在仅 10 μA
- 睡眠模式可提供 0.1μA 的低睡眠电流以及快速恢复时间
应用
- 办公自动化
- 工业设备
- 广播系统
- 汽车配件
- 医疗设备
- 便携式设备
MR45V100A 1 Mbit FeRAM Memory IC
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MR45V100AMAZAATL | IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8SOP | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
发布日期： 2019-02-22
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