汽车超紧凑型 1 mm² MOSFET
ROHM 的超紧凑型 MOSFET 适用于 ADAS 和汽车 ECU 等高密度应用
ROHM 的 RV8C010UN、RV8L002SN 和 BSS84X 符合 AEC-Q101 标准的超紧凑型 MOSFET 的尺寸为 1 mm²,具有汽车级的可靠性。这些 MOSFET 改善了散热和安装可靠性,适用于 ADAS 和汽车 ECU 等高密度应用。
对于汽车零件,在安装后执行自动光学检查 (AOI) 以确保可靠性。但是,对于底部电极组件,由于接线端子不可见,因此无法验证焊点,从而难以进行符合汽车标准的目视检查。ROHM 凭借其独创的可润湿侧面技术解决了这些问题,该技术可确保以 1.0 mm × 1.0 mm 尺寸达到前所未有的 125 µm 侧电极高度,并得到多家汽车制造商更多的采用。
近年来,车辆的持续电气化已大大增加了每辆车使用的电子和半导体组件的数量。因此,对组件密度急剧增加的需求变得更加重要。例如,安装在单个汽车 ECU 中的多层陶瓷电容器 (MLCC) 和半导体组件的平均数量预计将增加 30%。同时,对于要求更高的小型化的高密度汽车应用,目前正在研究底部电极封装,该封装可在紧凑外形尺寸下实现出色的散热。
在要求高质量的汽车系统中,AOI 期间可实现极高的焊接安装可靠性。底部电极封装同时提供突破性的小型化和高散热性(通常处于折衷关系),使其非常适合具有更高板密度的 ADAS 和汽车 ECU。
- 独创可润湿侧面技术可确保 125 µm 侧电极高度
- 在传统的底部电极封装中,无法电镀引线框架的侧面,因此很难进行 AOI 来验证汽车应用所需的焊接高度
- MOSFET 利用专有的可润湿侧面技术,可确保在 1.0 mm × 1.0 mm 尺寸下实现突破性的 125 µm 侧电极高度
- 即使采用底部电极封装,也能稳定实现焊脚吃锡,安装后可通过 AOI 验证焊接状态
- 超紧凑型高散热 MOSFET 支持高密度安装
- 与 2.9 mm × 2.4 mm 封装 (SOT-23) 性能相同,但更小的 1.0 mm × 1.0 mm 封装 (DFN1010) 可减少约 85% 的安装面积
- 高散热性的底部电极结构比 SOT-23 散热性(通常随着尺寸的增加而降低)可提高达 65%
- RV8C010UN、RV8L002SN 和 BSS84X 是汽车 ECU 和 ADAS 的理想选择,这些汽车 ECU 和 ADAS 随着性能的提高板密度越来越高
- 开关和反向连接保护应用
- 自动驾驶控制 ECU
- 车载信息娱乐系统
- 发动机控制 ECU
- 行车记录仪
- ADAS 应用
Automotive Ultra-Compact 1 mm² MOSFETs
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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RV8L002SNHZGG2CR | MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W | 6452 - 立即发货 | $4.55 | 查看详情 | ||
RV8C010UNHZGG2CR | MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W | 3492 - 立即发货 | $4.72 | 查看详情 | ||
BSS84XHZGG2CR | MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W | 70 - 立即发货 | $4.55 | 查看详情 |