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能源基础设施解决方案
来自 onsemi 和 KEMET
为了满足政府政策设定的目标和不断增长的消费需求，能源生产、配送和存储领域正在经历快速演变。促使能源基础设施领域发生这一演变的关键因素包括：更高的效率目标、减少 CO2 排放量，以及重视可再生清洁能源。
onsemi 拥有全面、高效的适合高要求大功率应用需要的能源解决方案产品组合，包括碳化硅 (SiC) 二极管、智能电源模块和电流检测放大器。
太阳能逆变器
太阳能电源模块是最常见的用于生产可再生能源的商用级和消费级选择之一。伴随这种可再生能源的是，将可变电源集成到标准化电网的重大挑战。太阳能逆变器在对直流太阳能板进行整流以接入交流电网方面发挥着至关重要的作用。除了高效的交流/直流转换外，太阳能逆变器通常还用于监测光伏二极管的非线性响应，以确保产生最大功率。onsemi 提供完整的解决方案，旨在感测、保护和控制从电池到电网的能量。
不间断电源 (UPS)
不间断电源对于依赖时间和数据的数字网络至关重要。计算分析、数据存储和分发、电信系统，甚至一些城市都高度依赖由 UPS 提供保障的恒定电源。这些保护性电源已广泛集成到电力传输中。这样可确保电池或其他存储设备始终处于监测和通电状态下，以便在发生系统故障时，UPS 可提供充分支持。这种监测、充电和交流/直流整流的功能要求硅器件不仅能够提供所需支持，而且还能在大电流状态下高效工作。onsemi 提供了完整的高能效解决方案，无论是否存在电源故障，均可控制和转换电源。
电动车辆充电
电动车辆充电站是电动车辆的基础设施构成中最重要的组成部分。与太阳能转换或备用电源不同，电动车辆充电站更加注重应用的广泛性。这些充电站必须能够以标准化的格式进行通信和电力传输，以实现广泛的适应性和用途。除了应对快速充电和高效的交流/直流整流带来的复杂问题之外，电动车辆充电站还需要具备面向终端用户的安全性和交互功能。onsemi 提供完整的解决方案，旨在快速、无缝地对电动车辆进行电力传输。
产品
- 大电流栅极驱动器
- 电流检测放大器
- 650 V/ 1200 V IGBT
- 650 V SuperFET III MOSFET
- 100 V/ 150 V PowerTrench MOSFET
- 电源集成模块
- EliteSiC 碳化物二极管
- 高电压整流器
- 光耦合器
大电流栅极驱动器
大电流栅极驱动器
onsemi NCD570x 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 栅极驱动器是大电流、高性能器件，适用于各类高功率应用，如太阳能逆变器、电机控制和不间断电源 (UPS)。这些栅极驱动器高度集成，通过消除诸多外部元器件并集成保护功能，提供了高性价比的解决方案。
电流检测放大器
电流检测放大器
电流消耗监测提供了有助于系统安全和诊断功能的关键信息。onsemi 不但提供高性价比的独立运算放大器，还提供集成了外部电阻器的电流检测放大器，从而打造具有更高精度、更小尺寸的解决方案。
650 V 和 1200 V IGBT
650 V 和 1200 V IGBT
onsemi 的 650 V 和 1200 V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 采用坚固的高性价比超场截止沟槽式结构，在高要求开关应用中表现出色，同时具有低导通电压和最小的开关损耗。
650 V SuperFET III MOSFET
650 V SuperFET III MOSFET
onsemi 650 V SuperFET III 系列提供专为高功率密度而设计的高性能超级结 MOSFET。SuperFET III 技术具有同类最佳的 FOM 和 Eoss，与先前业界领先的技术相比，在相同的封装尺寸下，将 RDS(ON) 降低了 40% 以上。这样，产品设计人员便可使用更小的封装尺寸，或在相同的封装中实现更高的功率。SuperFET III 采用坚固的体二极管，具有良好平衡的开关特性。
100 V 和 150 V PowerTrench MOSFET
100 V 和 150 V PowerTrench MOSFET
这些 MOSFET 使用 onsemi 先进的 PowerTrench® 工艺生产，采用屏蔽门技术。它们结合了硅和 Dual Cool™ 封装技术的优势，具有最低的 rDS(on)，同时在极低的结环热阻条件下保持了出色的开关性能。
集成电源模块 (PIM)
集成电源模块 (PIM)
集成电源模块利用了 onsemi 在汽车点火 IGBT 和智能电源模块 (IPM) 开发方面的丰富经验以及封装专业知识，可提供完全符合最高行业标准的电源解决方案。此外，onsemi 模块解决方案还可为客户提供完全集成的硅和封装供应链，从而确保高质量和成本效益。
NXH80B120L2Q0SG 是一款包含一个双升压级的电源模块，由两个 40A/1200V IGBT、两个 15A/1200V 碳化硅二极管以及两个用于 IGBT 的 25A/1600V 反并联二极管组成。该器件有两个额外的 25A/1600V 旁路整流器，用于涌流限制。另外还包含一个板载的热敏电阻。
| onsemi | 相关的 KEMET 元器件 | |||||
| onsemi 零件编号 | 陶瓷电容器 | 钽聚合物 | 铝 | 薄膜 | 扼流圈 | 电感器 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH80T120L2Q0S2G | X7R | T530（高电容/低 ESR） | A700（聚合物） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
| NXQH80B120H20SG | X7R | T530（高电容/低 ESR） | A700（聚合物） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
| NXH160T120L2Q2F2SG | >X7R（通信和 AEC-Q200） | T530（高电容/低 ESR） | EDH（一般电解，咬接） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
EliteSiC 碳化物二极管
EliteSiC 碳化物二极管
碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用了一种全新的技术，可为硅器件提供出色的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系统尺寸和成本。
高电压整流器
高电压整流器
onsemi 高压整流器产品组合包括适用于各种应用的一流解决方案，可为客户提供满足其设计要求的灵活性。
| onsemi | 相关的 KEMET 元器件 | |||||
| onsemi 零件编号 | 陶瓷电容器 | 钽聚合物 | 铝 | 薄膜 | 扼流圈 | 电感器 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FFPF30UA60S | X7R | T530（高电容/低 ESR） | EDH（一般电解，咬接） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
| RHRG5060 | X7R | T530（高电容/低 ESR） | EDH（一般电解，咬接） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
| FFH30S60STU | X7R | T530（高电容/低 ESR） | EDH（一般电解，咬接） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
光耦合器
光耦合器
| onsemi | 相关的 KEMET 元器件 | |||||
| onsemi 零件编号 | 陶瓷电容器 | 钽聚合物 | 铝 | 薄膜 | 扼流圈 | 电感器 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HCPL2611M | X7R | T530（高电容/低 ESR） | EDH（一般电解，咬接） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
| HCPL0600 | X7R | T530（高电容/低 ESR） | EDH（一般电解，咬接） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
| FOD8160 | X7R | T530（高电容/低 ESR） | EDH（一般电解，咬接） | C4AQ (DC Link) | SS（高频共模） | MPLC（MCI，中等电流） |
