Infineon Technologies

1200 V 碳化硅肖特基二极管

Infineon 的肖特基二极管降低了高压和高频操作时局部放电的风险

Infineon 1200 V 碳化硅肖特基二极管图片Infineon 的 CoolSiC™ 第 5 代 1200 V 10 A 肖特基二极管采用真正的 D²PAK 2 引脚封装。通过将 SiC 二极管并联并以小型器件封装连接，可以在最小化电路板空间要求的情况下实现高效的系统。取消中间引脚可降低在高压和高频操作下局部放电的风险。

特性

  • 零 ORR 不会造成反向恢复损耗
  • 高浪涌电流能力
  • 真正的 2 引脚封装，爬电距离为 4.7 mm，净空为 4.4 mm
  • 紧密的正向电压分布
  • 与温度无关的开关行为
  • 低正向电压
  • 在紧凑型设计中实现更高频率/更高的功率密度
  • 由于减少了散热器需求和使用较小的磁铁，节省了系统尺寸/成本
  • 降低表面局部放电的风险（真正的 2 引脚）
  • 相对于硅二极管系统的效率有所提高
  • 系统可靠性提高
  • 降低 EMI
  • 符合 RoHS II 标准（无铅芯片附着）
应用
  • 太阳能系统解决方案
  • 电机控制和驱动
  • 不间断电源 (UPS)
  • 工业级 SMPS
  • 电动汽车快速充电
  • 工业加热和焊接
  • 商用、建筑和农用车辆 (CAV)

资源

1200 V Schottky Diode

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DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1IDK10G120C5XTMA1DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-10 - 立即发货$43.66查看详情
发布日期： 2020-05-22