无总线周转时间 (NBT™) SRAM

GSI Technology 的 NBT SRAM 是同步、支持猝发功能的存储器,旨在利用数据总线的最大带宽。

GSI Technology 的无总线周转时间 (NBT™) SRAM 的图片GSI Technology 的 NBT SRAM 一直是中端数据采集设计的主力军,已有 15 多年的历史,并且可以提供各种密度、封装和设计选项。这些 SRAM 还带有长期存储 IC 支持计划。

NBT SRAM 是具有简化接口的同步、支持猝发功能的存储器,旨在利用数据总线的最大带宽。NBT 设备不需要周转时间(读和写操作之间的空闲时钟周期)。

NBT SRAM 用于需要中等性能点的网络、工业、汽车和医学影像应用。

特性
  • NBT 功能允许零等待读写总线利用
  • 与 NtRAM™、NoBL™ 和 ZBT™ SRAM 的流水线和数据流完全引脚兼容
  • 2.5 V 或 3.3 V ±10% 内核电源
  • 2.5 V 或 3.3 V I/O 电源
  • 用户可配置的管道和直通模式
  • IEEE 1149.1 JTAG 兼容边界扫描
  • ZQ 模式引脚,用户可选择高/低输出驱动
  • LBO 引脚用于线性或交错猝发模式
  • 与 4 Mb、9 Mb、18 Mb、36 Mb 和 72 Mb 器件引脚兼容
  • 字节写操作(9 位字节)
  • 三个芯片使能信号,便于深度扩展
  • ZZ 引脚可用于自动关断
  • 符合 RoHS 规范
  • 119 和 165 焊球 BGA 和 100 引脚 TQFP 封装
应用
  • 网络
  • 工业
  • 汽车
  • 医疗影像

No Bus Turnaround (NBT™) SRAMs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期: 2020-08-17