Diodes Incorporated

DMHC10H170SFJ MOSFET H 桥器件缩小了基底面

Diodes 的 MOSFET H 桥器件在同一封装内集中了两个 nMOS 和两个 pMOS，可以替换四个单器件或者两组互补器件

Diodes 的 DMHC10H170SFJ MOSFET H 桥器件减小了基底面Diodes Incorporated 扩充了其专用型 MOSFET H 桥系列产品，针对空间有限的超声波变送器阵列、DC 电机驱动和感应式无线充电电路推出 DMHC10H170SFJ 器件。

该器件基底面仅为 5 mm x 4.5 mm，是业内最小的 100 V H 桥器件，可替代四个 SOT23 或两个 SO-8 封装，从而节省 PCB 空间。 这样，就能在工业检查和船舶相控阵声呐系统的超声波变送器驱动中可实现更小的阵列设计。

特性
  • 减小了基底面
    • 这些 H 桥器件采用基底面为 5 mm x 4.5 mm 的 DFN5045 封装，可节省 PCB 空间，减少元件数和装配成本
  • 最大漏极电压
    • 100 VDSS 能为所用的 48 V 电源轨提供足够的裕量
  • 高脉冲电流
    • 11 A 峰值脉冲能力，能在感应负载启动期间安全地消耗高浪涌电流
  • 逻辑电平转换
    • 5V 栅极驱动允许直接与 MCU 逻辑电平连接
应用
  • 船舶回声定位系统的超声波变送器阵列
  • 用于制造过程中材料缺陷检查的相控阵超声波器件
  • 电信 48 V 风扇驱动中的 DC 电机

DMHC10H170SFJ MOSFET H-Bridge

图片制造商零件编号描述FET 功能漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFNDMHC10H170SFJ-13MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN-100V8622 - 立即发货$10.08查看详情
发布日期： 2016-01-20