Diodes Incorporated

DGD0506 和 DGD0507 栅极驱动器

Diodes 的 50 V MOSFET 栅极驱动器用于驱动电池供电型 BLDC 电机

Diodes 的 DGD0506 和 DGD0507 栅极驱动器图片Diodes DGD0506 和 DGD0507 高频栅极驱动器 IC 设计用于驱动采用半桥配置的两个外部 N 沟道 MOSFET，通过简单的逻辑电平输入同时提供高压侧和低压侧输出驱动能力，可在 MCU 和功率 MOSFET 开关之间实现一种简易接口。通过浮动高压侧支持高达 50 V 电压，满足电池供电型应用中宽范围的电机驱动。器件具备多种自我保护功能：如规避击穿问题的空载时间和匹配延迟；避免误触发的施密特触发输入；能够承受高 dv/dt 切换引起的负电压瞬变的栅极驱动容差；以及 Vcc 电源上的欠压锁定 (UVLO) 保护，可避免在低电源电压下的故障。

特性

  • 1.8 A / 2.5 A 拉灌电流
    • 将功率 MOSFET 的开关时间降至最小，提高系统能效
  • 逻辑电平输入 > 2.5 V
    • PWM 直接通过 3.3 V MCU 控制，同时输出步进至 Vcc 电源（8 V 至 14 V），以确保 MOSFET 完全增强并降低损耗
  • 击穿保护逻辑
    • 为避免 MOSFET 击穿，这些栅极驱动器具有匹配延迟，DGD0506 还具有 70 ns 到 420 ns 的可编程空载时间
  • 3 mm x 3 mm 封装
    • DFN3030 外形小巧，集成了阴极负载二极管，以减少元件数量并适合空间和重量受限的应用

应用

  • 电机驱动 - 驱动高达 50 V 的无刷直流 (BLDC) 电机，尤其是在电池供电型应用中：
    • 无线电动工具，包括钻头、手持真空吸尘器和搅拌器
    • 无人机、遥控汽车或飞机
    • 风扇、电子烟
发布日期： 2017-05-10

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