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AFBR-S4N33C013 单硅光电倍增管

Broadcom 的单硅光电倍增器最适合检测低照度脉冲光源

Broadcom AFBR-S4N33C013 单硅光电倍增管的图片Broadcom® AFBR-S4N33C013 是用于单光子超灵敏精密测量的单硅光电倍增管 (SiPM)。

有效面积为 3.0 mm × 3.0 mm。使用直通硅通孔 (TSV) 技术和芯片尺寸封装 (CSP) 可以实现单芯片的高封装密度。通过平铺多个 AFBR-S4N33C013 CSP 可以覆盖更大的面积，几乎没有任何边缘损失。保护层由最低 UV 波长的高透明玻璃制成，实现可见光谱的宽频响应，对光谱的蓝色和近 UV 区域具有高灵敏度。

AFBR-S4N33C013 SiPM 最适合检测低照度脉冲光源，特别是检测来自最常见的有机（塑料）和无机闪烁体材料（例如 LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF 或 LaBr）的切伦科夫辐射光和闪烁光。该产品无铅且符合 RoHS。

特性
  • 420 nm 下的 PDE 超过 55%
  • 芯片尺寸封装 (CSP)
  • 出色的 SPTR 和 CRT
  • 出色的击穿电压均匀性：180 mV (3 sigma)
  • 极佳增益均匀性
  • 尺寸 3.14 mm × 3.14 mm
  • 采用 TSV 技术（4 面可拼接），具有高填充因子
  • 单元间距：30 μm2
  • 高透明玻璃保护层
  • 工作温度范围：-40°C 至 +85°C
  • 符合 RoHS 和 REACH 规范
应用
  • X 射线和伽马射线检测
  • 伽马射线光谱学
  • 安防
  • 核医学
  • 正电子发射断层扫描
  • 生命科学
  • 流式细胞仪
  • 荧光（发光测量）
  • 时间相关的单光子计数
  • 高能物理
  • 天体物理学

AFBR-S4N33C013 Single-Silicon Photo-multiplier

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SENSOR PHOTODIODE 420NM 9UBGAAFBR-S4N33C013SENSOR PHOTODIODE 420NM 9UBGA121 - 立即发货$206.71查看详情
发布日期： 2020-11-19