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The EPC9048C is a half bridge development board with onboard gate driver, featuring the 200V, 15A rated EPC2034C GaN field effect transistor (FET).
The EPC90120 development board measures 2” x 2” and contains one EPC2152 Integrated ePower™ Stage in a half bridge configuration.
The EVALMASTERGAN1 is an advanced power system-in-package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 150 mΩ and 650 V drain‑source breakdown voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.
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