单双极晶体管

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	晶体管类型	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	电压 - 集射极击穿（最大值）	不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	功率 - 最大值	频率 - 跃迁	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

2N3904PH TRANS NPN 40V 0.2A TO92-3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	0 现货	停产	-	散装	停产	NPN	200 mA	40 V	300mV @ 5mA，50mA	-	100 @ 10mA，1V	625 mW	300MHz	-	通孔	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）	TO-92-3
MPSA42PH TRANS NPN 300V 0.5A TO92-3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division	0 现货	停产	-	散装	停产	NPN	500 mA	300 V	500mV @ 2mA，20mA	100nA（ICBO）	40 @ 30mA，10V	625 mW	50MHz	-	通孔	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）	TO-92-3

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分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。