单 FET,MOSFET

结果 : 7,285
系列
-*CoolGaN™CoolMOS®CoolMOS™CoolMOS™ 5CoolMOS™ C3CoolMOS™ C6CoolMOS™ C7CoolMOS™ CECoolMOS™ CFD2CoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V14 V15 V20 V24 V25 V28 V30 V34 V40 V49 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA(Ta)90mA(Ta)100mA(Ta)110mA(Ta)120mA(Ta)140mA(Ta)150mA(Ta)170mA(Ta)180mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)210mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V0V,18V1.8V,2.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,10V2.7V,4.5V2.8V,10V2.8V,4.5V3.3V,10V4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.29 毫欧 @ 50A,10V0.35 毫欧 @ 50A,10V0.4 毫欧 @ 150A,10V0.44 毫欧 @ 88A,10V0.45 毫欧 @ 30A,10V0.45 毫欧 @ 30A,7V0.45 毫欧 @ 50A,10V0.47 毫欧 @ 50A,10V0.52 毫欧 @ 88A,10V0.55 毫欧 @ 100A,10V0.55 毫欧 @ 50A,10V0.55 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)600mV @ 500µA(最小)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)750mV @ 11µA750mV @ 3.7µA750mV @ 30µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA950mV @ 3.7µA1V @ 108µA1V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.59 nC @ 10 V0.6 nC @ 10 V0.6 nC @ 2.5 V0.6 nC @ 5 V0.62 nC @ 4.5 V0.63 nC @ 10 V0.65 nC @ 10 V0.67 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 10 V0.8 nC @ 5 V0.9 nC @ 10 V1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-10V+5V,-16V±7V±8V±10V±12V±14V±16V+18V,-15V+20V,-10V+20V,-12V+20V,-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 50 V18 pF @ 30 V19 pF @ 25 V19.1 pF @ 25 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V21 pF @ 25 V28 pF @ 25 V32 pF @ 25 V32 pF @ 30 V39 pF @ 25 V41 pF @ 15 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测耗尽模式肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)300mW(Ta)300mW(Tc)360mW(Ta)400mW(Ta)500mW(Ta)500mW(Tc)520mW(Ta)540mW(Ta)560mW(Ta)1W(Ta)1.25W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)0°C ~ 150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
4-FlipFet™6-PQFN 双通道(2x2)6-PQFN(2x2)6-PQFN(2x2)(DFN2020)6-TSOP8-PQFN 双(3.3x3.3)8-PQFN(3.1x3.1)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-PQFN(3x3)8-PQFN(5x6)8-SO8-SOIC
封装/外壳
3-WDSON4-FlipFet™4-PowerTSFN5-PowerSFN6-PowerVDFN6-VSSOP,SC-88,SOT-3638-LDFN 裸焊盘8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
105,717
现货
1 : ¥2.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39197
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V3 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6 nC @ 10 V±20V20 pF @ 25 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
95,233
现货
1 : ¥2.65000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47761
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V230mA(Ta)4.5V,10V3.5 欧姆 @ 230mA,10V1.4V @ 26µA1.4 nC @ 10 V±20V41 pF @ 25 V-360mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
614,988
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50844
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V1.4A(Ta)4.5V,10V160 毫欧 @ 1.4A,10V2V @ 3.7µA0.6 nC @ 5 V±20V94 pF @ 15 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
155,360
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77616
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V330mA(Ta)4.5V,10V2 欧姆 @ 330mA,10V2V @ 80µA3.57 nC @ 10 V±20V78 pF @ 25 V-360mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
64,570
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V760mA(Ta)4.5V,10V600 毫欧 @ 600mA,10V1V @ 250µA5.1 nC @ 10 V±20V75 pF @ 25 V-540mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,723
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77244
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V1.7 欧姆 @ 300mA,10V2V @ 34µA1.79 nC @ 10 V±20V55 pF @ 30 V-360mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
250,659
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V170mA(Ta)4.5V,10V8 欧姆 @ 170mA,10V2V @ 20µA1.5 nC @ 10 V±20V19 pF @ 25 V-360mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
230,825
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54180
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V190mA(Ta)4.5V,10V6 欧姆 @ 190mA,10V1.8V @ 13µA0.9 nC @ 10 V±20V20.9 pF @ 25 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
132,826
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.53703
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1.4A(Ta)1.8V,2.5V160 毫欧 @ 1.4A,2.5V750mV @ 3.7µA0.6 nC @ 2.5 V±8V180 pF @ 10 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT323SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
68,727
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70551
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V2.3A(Ta)1.8V,2.5V57 毫欧 @ 2.3A,2.5V750mV @ 11µA1.7 nC @ 2.5 V±8V529 pF @ 10 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Infineon Technologies
48,866
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57676
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V540mA(Ta)4.5V,10V650 毫欧 @ 270mA,10V2V @ 2.7µA2.26 nC @ 10 V±20V75 pF @ 25 V-360mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
546,228
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72166
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V2.3A(Ta)1.8V,2.5V57 毫欧 @ 2.3A,2.5V750mV @ 11µA1.7 nC @ 2.5 V±8V529 pF @ 10 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
425,286
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87770
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6.3A(Ta)2.5V,4.5V21 毫欧 @ 6.3A,4.5V1.1V @ 10µA8.9 nC @ 4.5 V±12V700 pF @ 16 V-1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
108,723
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10577
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V170mA(Ta)0V,10V6 欧姆 @ 170mA,10V1.8V @ 50µA2.8 nC @ 7 V±20V68 pF @ 25 V耗尽模式360mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
67,050
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87770
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V4.3A(Ta)1.8V,4.5V50 毫欧 @ 4.3A,4.5V950mV @ 250µA15 nC @ 5 V±8V830 pF @ 10 V-1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
55,468
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72020
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V1.5A(Ta)4.5V,10V140 毫欧 @ 1.5A,10V2V @ 6.3µA2.9 nC @ 10 V±20V294 pF @ 15 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
141,064
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90854
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V2A(Ta)4.5V,10V80 毫欧 @ 2A,10V2V @ 11µA5 nC @ 10 V±20V500 pF @ 15 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
114,156
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91366
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.7A(Ta)2.5V,4.5V65 毫欧 @ 3.7A,4.5V1.2V @ 250µA12 nC @ 5 V±12V633 pF @ 10 V-1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2402TRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
95,298
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91160
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1.2A(Ta)2.7V,4.5V250 毫欧 @ 930mA,4.5V700mV @ 250µA(最小)3.9 nC @ 4.5 V±12V110 pF @ 15 V-540mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
39,669
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15059
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V1.6A(Ta)4.5V,10V220 毫欧 @ 1.6A,10V2.5V @ 25µA2.5 nC @ 4.5 V±16V290 pF @ 25 V-1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
242,546
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76575
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.1A(Ta)2.5V,4.5V46 毫欧 @ 4.1A,4.5V1.1V @ 5µA3.5 nC @ 4.5 V±12V290 pF @ 16 V-1.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
222,260
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.93295
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V780mA(Ta)2.7V,4.5V600 毫欧 @ 610mA,4.5V1.5V @ 250µA3.6 nC @ 4.45 V±12V97 pF @ 15 V-540mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
117,041
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79515
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V1.2A(Ta)4.5V,10V250 毫欧 @ 910mA,10V1V @ 250µA5 nC @ 10 V±20V85 pF @ 25 V-540mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型Micro3™/SOT-23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
92,221
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63714
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1.5A(Ta)2.5V,4.5V140 毫欧 @ 1.5A,4.5V1.2V @ 3.7µA0.8 nC @ 5 V±12V143 pF @ 10 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT323SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS159NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
25,601
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22446
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V230mA(Ta)0V,10V3.5 欧姆 @ 160mA,10V2.4V @ 26µA1.4 nC @ 5 V±20V39 pF @ 25 V耗尽模式360mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-SOT23TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。