栅极驱动器

结果 : 15
包装
卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
驱动配置
半桥高端
通道类型
单路同步独立式
驱动器数
124
电压 - 供电
4.5V ~ 16.5V4.5V ~ 5.5V9V ~ 13.2V10.8V ~ 13.2V10.8V ~ 16.5V14.5V ~ 17.5V
逻辑电压 - VIL,VIH
0.5V,4V1V,2.5V1V,4V4V,7V-
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
500mA,500mA800mA,1A900mA,1.1A1A,1A2A,2A3A,3A-
高压侧电压 - 最大值(自举)
30 V40 V48 V50 V75 V500 V
上升/下降时间(典型值)
13ns,15ns15ns,15ns30ns,20ns32ns,36ns45ns,35ns50ns,35ns110ns,50ns
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
8-DIP(0.300",7.62mm)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)PowerPAK® MLP33-10
供应商器件封装
8-PDIP8-SOIC14-SOIC16-TSSOP24-SOICPowerPAK® MLP33-10
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
驱动配置
通道类型
驱动器数
栅极类型
电压 - 供电
逻辑电压 - VIL,VIH
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
输入类型
高压侧电压 - 最大值(自举)
上升/下降时间(典型值)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
SI9910DY-T1-E3
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证高端单路1N 沟道 MOSFET10.8V ~ 16.5V-1A,1A非反相500 V50ns,35ns-40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-DIP
SI9910DJ-E3
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
散装
停产未验证高端单路1N 沟道 MOSFET10.8V ~ 16.5V-1A,1A非反相500 V50ns,35ns-40°C ~ 150°C(TJ)通孔8-DIP(0.300",7.62mm)8-PDIP
8-SOIC
SI9910DY-E3
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
散装
停产未验证高端单路1N 沟道 MOSFET10.8V ~ 16.5V-1A,1A非反相500 V50ns,35ns-40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
SI9912DY-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET4.5V ~ 5.5V-1A,1A非反相30 V30ns,20ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
SI9912DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET4.5V ~ 5.5V-1A,1A非反相30 V30ns,20ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
SI9913DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET4.5V ~ 5.5V-1A,1A非反相30 V30ns,20ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
14-SOIC
SI9976DY-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
散装
停产未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET4.5V ~ 16.5V1V,4V500mA,500mA非反相40 V110ns,50ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)14-SOIC
14-SOIC
SI9976DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET4.5V ~ 16.5V1V,4V500mA,500mA非反相40 V110ns,50ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)14-SOIC
24-SOIC
SI9978DW-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
散装
停产未验证半桥同步4N 沟道 MOSFET14.5V ~ 17.5V1V,4V-非反相40 V110ns,50ns-40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)24-SOIC
24-SOIC
SI9978DW-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证半桥同步4N 沟道 MOSFET14.5V ~ 17.5V1V,4V-非反相40 V110ns,50ns-40°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型24-SOIC(0.295",7.50mm 宽)24-SOIC
16-TSSOP
SIP41101DQ-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16TSSOP
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET4.5V ~ 5.5V1V,2.5V3A,3A非反相30 V15ns,15ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)16-TSSOP
IC GATE DRVR HALF-BRIDG MLP33-10
SIP41103DM-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDG MLP33-10
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET4.5V ~ 5.5V0.5V,4V900mA,1.1A非反相50 V32ns,36ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型PowerPAK® MLP33-10PowerPAK® MLP33-10
8-SOIC
SIP41104DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET4.5V ~ 5.5V0.5V,4V900mA,1.1A非反相50 V32ns,36ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
SIP41109DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产未验证半桥同步2N 沟道 MOSFET10.8V ~ 13.2V1V,4V800mA,1A非反相48 V45ns,35ns-40°C ~ 125°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
SIP41111DY-T1-E3
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Vishay Siliconix
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售未验证半桥独立式2N 沟道 MOSFET9V ~ 13.2V4V,7V2A,2A非反相75 V13ns,15ns-65°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
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栅极驱动器


栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。