JFET

结果 : 2
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
1.5 µA @ 1200 V3.3 µA @ 1200 V
漏极电流 (Id) - 最大值
26 A35 A
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1550pF @ 19.5V（VGS）2000pF @ 19.5V（VGS）
电阻 - RDS(On)
70 mOhms100 mOhms
功率 - 最大值
190 W238 W
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
漏源电压（Vdss）
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)
漏极电流 (Id) - 最大值
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
电阻 - RDS(On)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3 AC EP
IJW120R100T1FKSA1
JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产N 通道1200 V1200 V1.5 µA @ 1200 V26 A1550pF @ 19.5V（VGS）100 mOhms190 W-55°C ~ 175°C（TJ）--通孔TO-247-3PG-TO247-3
JFET N-CH 1.2KV 35A TO247-3
IJW120R070T1FKSA1
JFET N-CH 1.2KV 35A TO247-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产N 通道1200 V1200 V3.3 µA @ 1200 V35 A2000pF @ 19.5V（VGS）70 mOhms238 W-55°C ~ 175°C（TJ）--通孔TO-247-3PG-TO247-3
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JFET

结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。