IGBT 阵列

结果 : 19
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.IXYS
系列
-BIMOSFET™ISOPLUS™
包装
卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
IGBT 类型
-NPTPT
配置
全桥半桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V1200 V1700 V2500 V3000 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
18 A23 A30 A32 A33 A34 A38 A40 A43 A50 A63 A
功率 - 最大值
100 W125 W130 W140 W150 W200 W230 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,15A2.15V @ 15V,35A2.2V @ 15V,25A2.4V @ 15V,20A2.6V @ 15V,30A2.7V @ 15V, 22A2.9V @ 15V,20A3.1V @ 15V,20A3.2V @ 15V,20A6V @ 15V,16A
电流 - 集电极截止(最大值)
10 µA35 µA100 µA125 µA150 µA200 µA400 µA600 µA2.1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1.1 nF @ 25 V1.19 nF @ 15 V1.2 nF @ 25 V1.6 nF @ 25 V2 nF @ 25 V2.2 nF @ 25 V2.4 nF @ 25 V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
9-SMD 模块24-SMD 模块(9 引线)i4-Pac™-4,隔离i4-Pac™-5
供应商器件封装
24-SMPDISOPLUS i4-PAC™ISOPLUS-SMPD™.B
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

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/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
MMIX4G20N250
IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD
IXYS
18
现货
1 : ¥903.59000
管件
-
管件
在售-全桥2500 V23 A100 W3.1V @ 15V,20A10 µA1.19 nF @ 15 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型24-SMD 模块(9 引线)24-SMPD
IGBT TRANS 3000V 38A
MMIX4B22N300
IGBT TRANS 3000V 38A
IXYS
0
现货
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1 : ¥816.76000
管件
管件
在售-全桥3000 V38 A150 W2.7V @ 15V, 22A35 µA2.2 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型24-SMD 模块(9 引线)24-SMPD
MMIX4B20N300
MMIX4B20N300
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD
IXYS
0
现货
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1 : ¥1,020.73000
管件
管件
在售-全桥3000 V34 A150 W3.2V @ 15V,20A--标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型24-SMD 模块(9 引线)24-SMPD
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40RG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
现货
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200 : ¥132.08600
卷带(TR)
卷带(TR)
在售PT半桥1200 V63 A230 W2.15V @ 15V,35A150 µA-标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXA20PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXYS
0
现货
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200 : ¥135.22195
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售PT半桥1200 V32 A130 W2.1V @ 15V,15A125 µA-标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40RG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
现货
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20 : ¥148.38650
管件
管件
在售PT半桥1200 V63 A230 W2.15V @ 15V,35A150 µA-标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXA20PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
IXYS
0
现货
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20 : ¥157.95050
管件
-
管件
在售PT半桥1200 V32 A130 W2.1V @ 15V,15A125 µA-标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXA30PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXYS
0
现货
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200 : ¥161.09060
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售PT半桥1200 V43 A150 W2.2V @ 15V,25A2.1 mA-标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXA30PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD
IXYS
0
现货
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20 : ¥184.31850
管件
-
管件
在售PT半桥1200 V43 A150 W2.2V @ 15V,25A2.1 mA-标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40PG1200DHG-TRR
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
现货
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200 : ¥188.03310
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售PT半桥1200 V63 A230 W2.15V @ 15V,35A150 µA-标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXA40PG1200DHG-TUB
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
20 : ¥219.76650
管件
-
管件
在售PT半桥1200 V63 A230 W2.15V @ 15V,35A150 µA-标准-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-SMD 模块ISOPLUS-SMPD™.B
i4-Pac-5
FII40-06D
IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
IXYS
0
现货
停产
-
散装
停产NPT半桥600 V40 A125 W2.2V @ 15V,25A600 µA1.6 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N17AH1
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
现货
在售
-
在售NPT半桥1700 V18 A140 W6V @ 15V,16A100 µA2.4 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N17AH1S
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
现货
在售
-
在售NPT半桥1700 V18 A140 W6V @ 15V,16A100 µA2.4 nF @ 25 V标准-通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
FII30-06D
IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产NPT半桥600 V30 A100 W2.4V @ 15V,20A600 µA1.1 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
FII30-12E
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产NPT半桥1200 V33 A150 W2.9V @ 15V,20A200 µA1.2 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
FII50-12E
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产NPT半桥1200 V50 A200 W2.6V @ 15V,30A400 µA2 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
FII24N170AH1
IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产NPT半桥1700 V18 A140 W6V @ 15V,16A100 µA2.4 nF @ 25 V标准-55°C ~ 150°C(TJ)通孔i4-Pac™-4,隔离ISOPLUS i4-PAC™
0
现货
停产
-
散装
停产--------------
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IGBT 阵列


绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是高效且快速切换的三端功率半导体器件,主要用作电子开关。这些器件用于变频驱动器 (VFD)、电动汽车、火车、灯镇流器和空调等大功率应用中的开关电源,并可用于开关放大器——音响系统和工业控制系统。IGBT 阵列在一个封装中包含多个器件,并且采用全桥或半桥配置。