单 FET,MOSFET

结果 : 423
系列
-*TrenchMOS™TrenchPLUS
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V25 V30 V34 V36 V40 V50 V55 V60 V75 V80 V100 V108 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150mA(Ta)170mA(Ta)180mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)260mA(Ta)290mA(Ta)300mA(Ta)300mA(Tc)310mA(Ta)340mA(Ta)350mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.4V,10V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,5V2.8V3.5V,10V4.5V,10V5V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.3 毫欧 @ 25A,10V1.3 毫欧 @ 90A,5V1.4 毫欧 @ 25A,10V1.4 毫欧 @ 25A,5V1.45 毫欧 @ 25A,10V1.5 毫欧 @ 25A,10V1.51 毫欧 @ 25A,10V1.6 毫欧 @ 25A,10V1.7 毫欧 @ 25A,10V1.8 毫欧 @ 25A,10V1.9 毫欧 @ 25A,10V2.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
650mV @ 1mA(最小)680mV @ 1mA(典型值)700mV @ 1mA(典型值)800mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 270µA1.1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 5 V0.44 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.65 nC @ 4.5 V0.68 nC @ 4.5 V0.72 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V0.85 nC @ 10 V0.89 nC @ 4.5 V1.05 nC @ 10 V1.1 nC @ 4.5 V1.14 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V12V±12V±13V±15V±16V20V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
13 pF @ 10 V23 pF @ 30 V34 pF @ 20 V36 pF @ 25 V37 pF @ 25 V40 pF @ 10 V43 pF @ 25 V45 pF @ 20 V46 pF @ 15 V50 pF @ 10 V50 pF @ 15 V76 pF @ 15 V
FET 功能
-温度检测二极管
功率耗散(最大值)
230mW(Ta),1.06W(Tc)250mW(Ta)250mW(Ta),770mW(Tc)260mW(Ta)270mW(Ta),1.92W(Tc)275mW(Ta)275mW(Ta),1.065W(Tc)275mW(Ta),1.785W(Tc)280mW(Tj)310mW(Ta),2.09W(Tc)310mW(Ta),2.17W(Tc)325mW(Ta),1.14W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 185°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN2020MD(2x2)6-TSSOP8-DFN3333(3.3x3.3)8-HVSON(5x6)8-SO-D2PAKD2PAK-7DFN1006-3DPAKI2PAKIPAK
封装/外壳
3-XFDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘-SC-100,SOT-669SC-70,SOT-323SC-74,SOT-457SC-75,SOT-416TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
423结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 423
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-73
PMT760EN,115
MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V900mA(Ta)4.5V,10V950 毫欧 @ 800mA,10V2.5V @ 250µA3 nC @ 10 V±20V160 pF @ 80 V-800mW(Ta),6.2W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-73TO-261-4,TO-261AA
SOT-70, SOT-323
PMF3800SN,115
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323-3
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V260mA(Ta)4.5V,10V4.5 欧姆 @ 500mA,10V3.3V @ 1mA0.85 nC @ 10 V±15V40 pF @ 10 V-560mW(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-70SC-70,SOT-323
SOT-70, SOT-323
PMF780SN,115
MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V570mA(Ta)10V920 毫欧 @ 300mA,10V2V @ 250µA1.05 nC @ 10 V±20V23 pF @ 30 V-560mW(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-70SC-70,SOT-323
SC-73
PMT760EN,135
MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V900mA(Ta)4.5V,10V950 毫欧 @ 800mA,10V2.5V @ 250µA3 nC @ 10 V±20V160 pF @ 80 V-800mW(Ta),6.2W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-73TO-261-4,TO-261AA
SC-74, SOT-457
PMN35EN,115
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.1A(Ta)4.5V,10V31 毫欧 @ 5.1A,10V2.5V @ 250µA9.3 nC @ 10 V±20V334 pF @ 15 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SOT-70, SOT-323
PMF63UN,115
MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323-3
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1.8A(Ta)1.8V,4.5V74 毫欧 @ 1.8A,4.5V1V @ 250µA3.3 nC @ 4.5 V±8V185 pF @ 10 V-275mW(Ta),1.785W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-70SC-70,SOT-323
SC-73
PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V1.8A(Ta)4.5V,10V235 毫欧 @ 1.5A,10V2.5V @ 250µA10 nC @ 10 V±20V475 pF @ 80 V-800mW(Ta),8.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-73TO-261-4,TO-261AA
SC-73
PMT200EN,135
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V1.8A(Ta)4.5V,10V235 毫欧 @ 1.5A,10V2.5V @ 250µA10 nC @ 10 V±20V475 pF @ 80 V-800mW(Ta),8.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-73TO-261-4,TO-261AA
SOT 363
PMG370XN,115
MOSFET N-CH 30V 960MA 6TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V960mA(Ta)2.5V,4.5V440 毫欧 @ 200mA,4.5V1.5V @ 250µA0.65 nC @ 4.5 V±12V37 pF @ 25 V-690mW(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-DFN2020MD (2x2)
PMPB16XN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V7.2A(Ta)2.5V,4.5V21 毫欧 @ 7.2A,4.5V1.5V @ 250µA10.8 nC @ 4.5 V±12V775 pF @ 15 V-1.7W(Ta),12.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-DFN2020MD(2x2)6-UDFN 裸露焊盘
SC-74, SOT-457
PMN25EN,115
MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6.2A(Ta)4.5V,10V23 毫欧 @ 6.2A,10V2.5V @ 250µA11 nC @ 10 V±20V492 pF @ 15 V-540mW(Ta),6.25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SC-74, SOT-457
PMN25UN,115
MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Ta)1.8V,4.5V27 毫欧 @ 6A,4.5V1V @ 250µA10 nC @ 4.5 V±8V470 pF @ 10 V-530mW(Ta),6.25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SOT-70, SOT-323
PMF87EN,115
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323-3
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V1.7A(Ta)4.5V,10V80 毫欧 @ 1.7A,10V2.5V @ 250µA4.7 nC @ 10 V±20V135 pF @ 15 V-275mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-70SC-70,SOT-323
SOT 363
PMG45UN,115
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3A(Ta)-55 毫欧 @ 3A,4.5V1V @ 250µA3.3 nC @ 4.5 V-184 pF @ 10 V-375mW(Ta),4.35W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-74, SOT-457
PMN20EN,115
MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6.7A(Tj)4.5V,10V20 毫欧 @ 6.7A,10V2.5V @ 250µA18.6 nC @ 10 V±20V630 pF @ 15 V-545mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SC-74, SOT-457
PMN49EN,135
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4.6A(Tc)4.5V,10V47 毫欧 @ 2A,10V2V @ 1mA8.8 nC @ 4.5 V±20V350 pF @ 30 V-1.75W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SOT-23
PMV185XN,215
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V1.1A(Ta)2.5V,4.5V250 毫欧 @ 1.1A,4.5V1.5V @ 250µA1.3 nC @ 4.5 V±12V76 pF @ 15 V-325mW(Ta),1.275W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23(TO-236AB)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-74, SOT-457
PMN38EN,135
MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.4A(Tc)4.5V,10V38 毫欧 @ 3A,10V2V @ 1mA6.1 nC @ 4.5 V±20V495 pF @ 25 V-1.75W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SOT-23
PMV170UN,215
MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V1A(Ta)1.8V,4.5V165 毫欧 @ 1A,4.5V1V @ 250µA1.65 nC @ 4.5 V±8V83 pF @ 10 V-325mW(Ta),1.14W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23(TO-236AB)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-74, SOT-457
PMN40LN,135
MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5.4A(Tc)4.5V,10V38 毫欧 @ 2.5A,10V2V @ 1mA13.8 nC @ 10 V±15V555 pF @ 25 V-1.75W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SC-74, SOT-457
PMN27UN,135
MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.7A(Tc)1.8V,4.5V34 毫欧 @ 2A,4.5V700mV @ 1mA(典型值)10.6 nC @ 4.5 V±8V740 pF @ 10 V-1.75W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SC-74, SOT-457
PMN23UN,135
MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6.3A(Tc)1.8V,4.5V28 毫欧 @ 2A,4.5V700mV @ 1mA(典型值)10.6 nC @ 4.5 V±8V740 pF @ 10 V-1.75W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SC-74, SOT-457
PMN34LN,135
MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.7A(Tc)4.5V,10V34 毫欧 @ 2.5A,10V2V @ 1mA13.1 nC @ 10 V±15V500 pF @ 20 V-1.75W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-74SC-74,SOT-457
SOT-23
BSH205,215
MOSFET P-CH 12V 750MA TO236AB
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V750mA(Ta)1.8V,4.5V400 毫欧 @ 430mA,4.5V680mV @ 1mA(典型值)3.8 nC @ 4.5 V±8V200 pF @ 9.6 V-417mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23(TO-236AB)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
568-SOT-223(SC-73)SOT223-1
PHT6N06LT,135
MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V2.5A(Ta)5V150 毫欧 @ 5A,5V2V @ 1mA4.5 nC @ 5 V±13V330 pF @ 25 V-1.8W(Ta),8.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-73TO-261-4,TO-261AA
显示
/ 423

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。