单 FET,MOSFET

结果 : 4,728
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionVishay Siliconix
系列
-*DEEFELFETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®SSkyFET®, TrenchFET®SkyFET®, TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V16 V20 V22 V25 V30 V40 V45 V50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA(Ta)115mA(Ta)140mA(Ta)155mA(Ta)185mA(Ta)190mA(Ta)200mA(Ta)240mA(Ta)270mA(Ta)300mA(Ta)320mA(Ta)320mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V1.5V,3.7V1.5V,4.5V1.7V,4.5V1.8V,4.5V2V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V3V,10V3.3V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.4 毫欧 @ 30A,10V0.47 毫欧 @ 20A,10V0.52 毫欧 @ 20A,10V0.53 毫欧 @ 20A,10V0.57 毫欧 @ 20A,10V0.58 毫欧 @ 20A,10V0.6 毫欧 @ 15A,10V0.62 毫欧 @ 20A,10V0.67 毫欧 @ 20A,10V0.69 毫欧 @ 20A, 10V0.74 毫欧 @ 20A,10V0.76 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 250µA(最小)450mV @ 100µA(最小)450mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)450mV @ 2mA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 1.2mA(最小)600mV @ 1mA(最小)600mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)750mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 4.5 V0.71 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V0.84 nC @ 4.5 V1 nC @ 10 V1 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 8 V1.4 nC @ 10 V1.4 nC @ 4.5 V1.49 nC @ 5 V1.5 nC @ 10 V1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±5V±6V±8V±9V±10V+12V,-8V±12V+16V,-12V+16V,-20V±16V+20V,-16V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3.5 pF @ 15 V16 pF @ 10 V17 pF @ 15 V21 pF @ 5 V21 pF @ 6 V23 pF @ 25 V24 pF @ 30 V30 pF @ 25 V31 pF @ 10 V31 pF @ 15 V33 pF @ 15 V35 pF @ 10 V
FET 功能
-电流检测肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)170mW(Ta)190mW(Ta)190mW(Ta),200mW(Tc)200mW(Ta)220mW(Ta)236mW(Ta)240mW(Ta)240mW(Tc)250mW(Ta)250mW(Tc)280mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
4-HVMDIP4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)4-MICRO FOOT®(1x1)4-Micro Foot(1x1)4-Microfoot4-WLCSP(1.6x1.6)6-Micro Foot™(1.5x1)6-Micro Foot™(2.4x2)6-TSOP6-microfoot8-SO
封装/外壳
4-DIP(0.300",7.62mm)4-UFBGA4-UFBGA,WLCSP4-XFBGA4-XFBGA,CSPBGA6-MICRO FOOT®CSP6-PowerVDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFBGA8-PowerBSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4,728结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
862,008
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
238,116
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V300mA(Ta)4.5V,10V2 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
177,002
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81725
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.1A(Tc)2.5V,4.5V112 毫欧 @ 2.8A,4.5V1V @ 250µA10 nC @ 4.5 V±8V405 pF @ 10 V-860mW(Ta),1.6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
65,760
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81725
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V3.1A(Tc)2.5V,4.5V112 毫欧 @ 2.8A,4.5V1V @ 250µA10 nC @ 4.5 V±8V405 pF @ 10 V-860mW(Ta),1.6W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
29,227
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09604
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V6A(Tc)1.5V,4.5V28 毫欧 @ 5A,4.5V1V @ 250µA35 nC @ 8 V±8V1275 pF @ 6 V-1.2W(Ta),1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
26,760
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87120
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V2.6A(Ta)2.5V,4.5V57 毫欧 @ 3.6A,4.5V850mV @ 250µA5.5 nC @ 4.5 V±8V--710mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
20,102
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09604
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V7.6A(Tc)4.5V,10V29 毫欧 @ 5.4A,10V2.5V @ 250µA36 nC @ 10 V±20V1295 pF @ 15 V-1.25W(Ta),2.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
227,870
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73485
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V5A(Tc)4.5V,10V42 毫欧 @ 3.8A,10V2.5V @ 250µA22 nC @ 10 V±20V705 pF @ 15 V-1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
126,627
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15053
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Tc)1.8V,4.5V31.8 毫欧 @ 5A,4.5V1V @ 250µA18 nC @ 5 V±8V865 pF @ 10 V-1.25W(Ta),2.1W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
164,005
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17476
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V500mA(Ta)1.8V,4.5V700 毫欧 @ 600mA,4.5V900mV @ 250µA0.75 nC @ 4.5 V±6V--150mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-75ASC-75,SOT-416
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
114,835
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63550
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V530mA(Ta)1.5V,4.5V420 毫欧 @ 500mA,4.5V1V @ 250µA2.7 nC @ 8 V±8V43 pF @ 10 V-220mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-89-3SC-89,SOT-490
PowerPak SC-70-6 Single
SIA449DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
130,337
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21107
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12A(Tc)2.5V,10V20 毫欧 @ 6A,10V1.5V @ 250µA72 nC @ 10 V±12V2140 pF @ 15 V-3.5W(Ta),19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
109,588
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96374
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V5.6A(Tc)4.5V,10V42 毫欧 @ 4.3A,10V2.5V @ 250µA9 nC @ 10 V±20V340 pF @ 20 V-1.25W(Ta),2.1W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
43,336
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96374
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V1.4A(Tc)2.5V,10V132 毫欧 @ 1.4A,10V1.5V @ 250µA4.1 nC @ 10 V±12V105 pF @ 15 V-400mW(Ta),500mW(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-70-3SC-70,SOT-323
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
42,012
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96374
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)8 V5.8A(Tc)1.8V,4.5V35 毫欧 @ 4.4A,4.5V1V @ 250µA30 nC @ 8 V±8V960 pF @ 4 V-960mW(Ta),1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
71,514
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97916
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V2.2A(Ta)2.5V,4.5V100 毫欧 @ 2.8A,4.5V950mV @ 250µA10 nC @ 4.5 V±8V375 pF @ 6 V-700mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
93,897
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99843
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V2.6A(Ta)4.5V,10V70 毫欧 @ 2.5A,10V3V @ 250µA4 nC @ 5 V±20V225 pF @ 15 V-750mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
26,608
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25952
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V12A(Tc)2.5V,10V26 毫欧 @ 9A,10V1.4V @ 250µA21.5 nC @ 10 V±12V700 pF @ 20 V-3.5W(Ta),19W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6
Pkg 5540
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Vishay Siliconix
24,472
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.25952
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V3.5A(Ta),13A(Tc)4.5V,10V89 毫欧 @ 1.5A,4.5V3V @ 250µA30 nC @ 10 V±20V833 pF @ 20 V-2W(Ta),4.2W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSOPSOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2374DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Vishay Siliconix
4,837
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83332
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.5A(Ta),5.9A(Tc)1.8V,4.5V30 毫欧 @ 4A,4.5V1V @ 250µA20 nC @ 10 V±8V735 pF @ 10 V-960mW(Ta),1.7W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
911,426
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.03954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V185mA(Ta)4.5V,10V6 欧姆 @ 500mA,10V3V @ 250µA1.7 nC @ 15 V±20V23 pF @ 25 V-350mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-89-3_463C
SI1013CX-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Vishay Siliconix
35,036
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68317
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V450mA(Ta)4.5V760 毫欧 @ 400mA,4.5V1V @ 250µA2.5 nC @ 4.5 V±8V45 pF @ 10 V-190mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SC-89-3SC-89,SOT-490
SOT-23-3
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
94,348
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33220
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V3.5A(Tc)4.5V,10V88 毫欧 @ 3.5A,10V3V @ 250µA6.2 nC @ 4.5 V±20V340 pF @ 15 V-1.1W(Ta),1.8W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
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在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V2.6A(Ta)2.5V,4.5V57 毫欧 @ 3.6A,4.5V850mV @ 250µA5.5 nC @ 4.5 V±8V--710mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V3A(Ta)4.5V,10V45 毫欧 @ 3.9A,10V3V @ 250µA15 nC @ 10 V±20V540 pF @ 20 V-750mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-3(TO-236)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。