单 FET,MOSFET

结果 : 2,453
系列
-*Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7DeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIECOPACK®FDmesh™FDmesh™ IIFDmesh™ II Plus
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V24 V25 V30 V33 V40 V45 V50 V55 V60 V68 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Tc)250mA(Tc)300mA(Tc)350mA(Tc)400mA(Tc)430mA(Tc)500mA(Tc)600mA(Tc)650mA(Ta),2.2A(Tc)1A(Tc)1.2A(Tc)1.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.95V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4.5V,10V5V5V,10V5.5V,10V6V6.5V,10V10V10V,5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.75 毫欧 @ 60A,10V1 毫欧 @ 80A,10V1.1 毫欧 @ 24A,10V1.1 毫欧 @ 25A,10V1.1 毫欧 @ 60A,10V1.1 毫欧 @ 90A,10V1.15 毫欧 @ 60A,10V1.2 毫欧 @ 80A,10V1.25 毫欧 @ 60A,10V1.3 毫欧 @ 17.5A,10V1.3 毫欧 @ 22.5A,10V1.3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 1mA1.2V @ 1mA(最小)1.2V @ 250µA1.5V @ 100µA1.7V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 10 V2 nC @ 10 V2 nC @ 5 V2.63 nC @ 10 V3 nC @ 10 V3 nC @ 6 V3.4 nC @ 10 V3.6 nC @ 4.5 V3.7 nC @ 10 V3.7 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
4.2V @ 1mA+6V,-10V±8V±10V±12V±15V±16V±17V+18V,-5V±18V+20V,-16V+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
43 pF @ 25 V90 pF @ 25 V94 pF @ 25 V95 pF @ 100 V102 pF @ 100 V105 pF @ 100 V105 pF @ 25 V110 pF @ 100 V115 pF @ 100 V120 pF @ 25 V122 pF @ 100 V124 pF @ 100 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
125mW(Ta),3W(Tc)160mW350mW(Tc)620mW(Ta),77W(Tc)1W(Tc)1.6W(Ta)1.6W(Tc)2W(Ta)2W(Ta),22W(Tc)2W(Ta),50W(Tc)2W(Tc)2.4W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-60°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-SOIC-EP10-PowerSO14-PowerFLAT™(5x5)-D2PAKDPAKH2PAKH2PAK-2H2PAK-6H2PAK-7
封装/外壳
6-PowerWDFN8-PowerDFN8-PowerSFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘14-PowerVQFN-ISOTOPISOWATT-218-3PolarPak®
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2,453结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 2,453
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN1NK60Z
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
STMicroelectronics
14,904
现货
1 : ¥7.56000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.13365
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V300mA(Tc)10V15 欧姆 @ 400mA,10V4.5V @ 50µA6.9 nC @ 10 V±30V94 pF @ 25 V-3.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10P6F6
MOSFET P CH 60V 10A DPAK
STMicroelectronics
2,501
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.23678
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V10A(Tc)10V160 毫欧 @ 5A,10V4V @ 250µA6.4 nC @ 10 V±20V340 pF @ 48 V-35W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT223-3L
STN3NF06L
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STMicroelectronics
26,244
现货
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.32867
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V4A(Tc)5V,10V100 毫欧 @ 1.5A,10V2.8V @ 250µA9 nC @ 5 V±16V340 pF @ 25 V-3.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN1HNK60
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
STMicroelectronics
34,401
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.58644
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V400mA(Tc)10V8.5 欧姆 @ 500mA,10V3.7V @ 250µA10 nC @ 10 V±30V156 pF @ 25 V-3.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16NF06T4
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
STMicroelectronics
37,801
现货
1 : ¥8.78000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.62455
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V16A(Tc)10V70 毫欧 @ 8A,10V2V @ 250µA14.1 nC @ 10 V±20V400 pF @ 15 V-40W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8PowerVDFN
STL7N10F7
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
STMicroelectronics
15,495
现货
1 : ¥8.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.67499
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V7A(Tj)10V35 毫欧 @ 3.5A,10V4.5V @ 250µA14 nC @ 10 V±20V920 pF @ 50 V-2.9W(Ta),50W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(3.3x3.3)8-PowerVDFN
8PowerVDFN
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STMicroelectronics
3,479
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.80275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Tc)4.5V,10V30 毫欧 @ 3A,10V1V @ 250µA(最小)12 nC @ 4.5 V±20V1450 pF @ 25 V-2.9W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(3.3x3.3)8-PowerVDFN
SOT223-3L
STN3N40K3
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
STMicroelectronics
64,229
现货
1 : ¥9.51000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.93275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)400 V1.8A(Tc)10V3.4 欧姆 @ 600mA,10V4.5V @ 50µA11 nC @ 10 V±30V165 pF @ 50 V-3.3W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
STN2NF10
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
STMicroelectronics
3,973
现货
1 : ¥9.51000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.93275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V2.4A(Tc)10V260 毫欧 @ 1.2A,10V4V @ 250µA14 nC @ 10 V±20V280 pF @ 25 V-3.3W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD20NF06T4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
6,491
现货
1 : ¥10.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.18268
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V24A(Tc)10V40 毫欧 @ 12A,10V4V @ 250µA31 nC @ 10 V±20V690 pF @ 25 V-60W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2HNK60Z
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
STMicroelectronics
13,880
现货
1 : ¥10.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.24320
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V2A(Tc)10V4.8 欧姆 @ 1A,10V4.5V @ 50µA15 nC @ 10 V±30V280 pF @ 25 V-45W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD20NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronics
7,563
现货
1 : ¥11.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.90894
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V24A(Tc)5V,10V40 毫欧 @ 12A,10V2.5V @ 250µA13 nC @ 10 V±18V660 pF @ 25 V-60W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerFlat™
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,610
现货
1 : ¥12.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.50543
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V60A(Tc)4.5V,10V14 毫欧 @ 6.5A,10V1V @ 250µA(最小)34 nC @ 4.5 V±20V3525 pF @ 25 V-100W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(5x6)8-PowerVDFN
TO-220-3
STP3NK60Z
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
STMicroelectronics
5,886
现货
1 : ¥12.28000
管件
管件
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V2.4A(Tc)10V3.6 欧姆 @ 1.2A,10V4.5V @ 50µA11.8 nC @ 10 V±30V311 pF @ 25 V-45W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD35NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
6,182
现货
1 : ¥12.52000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.19363
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V35A(Tc)4.5V,10V17 毫欧 @ 17.5A,10V2.5V @ 250µA33 nC @ 4.5 V±16V1700 pF @ 25 V-80W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD35P6LLF6
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
5,899
现货
1 : ¥13.33000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.50183
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V35A(Tc)4.5V,10V28 毫欧 @ 17.5A,10V2.5V @ 250µA30 nC @ 4.5 V±20V3780 pF @ 25 V-70W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
17,758
现货
1 : ¥13.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.53770
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V17A(Tc)10V165 毫欧 @ 8.5A,10V4V @ 250µA29.5 nC @ 10 V±20V1000 pF @ 25 V-90W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD40NF10
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
STMicroelectronics
20,074
现货
1 : ¥13.49000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.58026
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V50A(Tc)10V28 毫欧 @ 25A,10V4V @ 250µA62 nC @ 10 V±20V2180 pF @ 25 V-125W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
STD60NF55LAT4
MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
STMicroelectronics
2,358
现货
1 : ¥13.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.26278
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)55 V60A(Tc)5V,10V15 毫欧 @ 30A,10V2V @ 250µA40 nC @ 5 V±15V1950 pF @ 25 V-110W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD5N95K5
MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
STMicroelectronics
2,515
现货
1 : ¥14.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.44296
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)950 V3.5A(Tc)10V2.5 欧姆 @ 1.5A,10V5V @ 100µA12.5 nC @ 10 V±30V220 pF @ 100 V-70W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3N95K5AG
MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
STMicroelectronics
5,737
现货
1 : ¥14.88000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.69412
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)950 V2A(Tc)10V5 欧姆 @ 1A,10V5V @ 100µA3.4 nC @ 10 V±30V105 pF @ 100 V-45W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
DPAK
STD15N50M2AG
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
STMicroelectronics
6,492
现货
1 : ¥14.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.72580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V10A(Tc)10V380 毫欧 @ 5A,10V4V @ 250µA13 nC @ 10 V±30V530 pF @ 100 V-85W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252(DPAK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8PowerVDFN
STL13N65M2
MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,790
现货
1 : ¥15.77000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.11674
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V6.5A(Tc)10V475 毫欧 @ 3A,10V4V @ 250µA17 nC @ 10 V±25V590 pF @ 100 V-52W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerFlat™(5x6)HV8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD2N105K5
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
STMicroelectronics
4,831
现货
1 : ¥16.83000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.59831
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1050 V1.5A(Tc)10V8 欧姆 @ 750mA,10V5V @ 100µA10 nC @ 10 V±30V115 pF @ 100 V-60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STMicroelectronics
4,952
现货
1 : ¥17.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.79377
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V17A(Tc)10V165 毫欧 @ 8.5A,10V4V @ 250µA29.5 nC @ 10 V±20V1000 pF @ 25 V-110W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型DPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。