单 FET,MOSFET
结果 : 11
产品状态
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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117 现货 4,500 工厂 | 1 : ¥45.45000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 6.2A(Tc) | 20V | 1 欧姆 @ 2A,20V | 4V @ 1mA | 13 nC @ 20 V | +22V,-6V | 200 pF @ 1000 V | - | 60W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | ||
1,432 现货 | 1 : ¥98.29000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 22A(Tc) | 20V | 200 毫欧 @ 10A,20V | 4V @ 5mA | 57 nC @ 20 V | +22V,-6V | 870 pF @ 800 V | - | 125W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | ||
854 现货 | 1 : ¥135.61000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 27A(Tc) | 20V | 150 毫欧 @ 14A,20V | 4V @ 7mA | 80 nC @ 20 V | +22V,-6V | 1125 pF @ 800 V | - | 139W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | ||
1,131 现货 | 1 : ¥56.42000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 6.4A(Tc) | 20V | 1 欧姆 @ 2A,20V | 4V @ 1mA | 11 nC @ 20 V | +22V,-6V | 200 pF @ 1000 V | - | 65W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 表面贴装型 | TO-263-7L | TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥171.54000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 39A(Tc) | 20V | 100 毫欧 @ 20A,20V | 4V @ 10mA | 95 nC @ 20 V | +22V,-6V | 1825 pF @ 800 V | - | 179W(Tc) | -55°C ~ 150°C | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥246.98000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 70A(Tc) | 20V | 50 毫欧 @ 40A,20V | 4V @ 20mA | 175 nC @ 20 V | +22V,-6V | 317 pF @ 800 V | - | 357W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥356.25000 管件 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 100A(Tc) | 20V | 32 毫欧 @ 50A,20V | 4V @ 30mA | 265 nC @ 20 V | +22V,-6V | 495 pF @ 800 V | - | 500W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 现货 | 停产 | - | 管件 | 停产 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1700 V | 5A(Tc) | 15V,20V | 1 欧姆 @ 2A,20V | 4V @ 1mA | 15 nC @ 20 V | +22V,-6V | 200 pF @ 1000 V | - | 54W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 通孔 | TO-247AD | TO-247-3 | ||
0 现货 | 在售 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 27A(Tc) | 20V | 150 毫欧 @ 14A,20V | 4V @ 7mA | 63 nC @ 20 V | +22V,-6V | 1130 pF @ 800 V | - | 156W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 现货 | 在售 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 39A(Tc) | 20V | 100 毫欧 @ 20A,20V | 4V @ 10mA | 92 nC @ 20 V | +22V,-6V | 170 pF @ 800 V | - | 214W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 现货 | 在售 | - | 管件 | 在售 | N 通道 | SiCFET(碳化硅) | 1200 V | 22A(Tc) | 20V | 200 毫欧 @ 10A,20V | 4V @ 5mA | 50 nC @ 20 V | +22V,-6V | 890 pF @ 800 V | - | 125W(Tc) | -55°C ~ 175°C(TJ) | 通孔 | TO-247-4L | TO-247-4 |
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