单 FET,MOSFET

结果 : 617
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVOGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.
系列
-*CoolSiC™DTMOSVIEOptiMOS™ 5OptiMOS™ 6OptiMOS™ 7SuperGaN®TrenchFET® Gen VU-MOSIX-HUMW
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
8 V10 V20 V25 V28 V30 V40 V45 V48 V50 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA115mA(Ta)170mA200mA(Ta)206mA(Ta)220mA(Ta)230mA(Ta)250mA260mA(Ta)280mA(Ta)300mA(Ta)310mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4V,10V4.5V4.5V,10V4.5V,20V5V,10V6V,10V7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.42 毫欧 @ 50A,10V0.49 毫欧 @ 50A,10V0.52 毫欧 @ 50A,10V0.52 毫欧 @ 88A,10V0.57 毫欧 @ 30A,10V0.7 毫欧 @ 50A,10V0.7 毫欧 @ 75A,10V0.72 毫欧 @ 100A,10V0.72 毫欧 @ 25A,10V0.74 毫欧 @ 50A,10V0.75 毫欧 @ 100A,10V0.79 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.2V @ 50µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.38 nC @ 4.5 V0.55 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 5 V0.81 nC @ 5 V1 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 10 V1.2 nC @ 4.5 V1.22 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.4 nC @ 4.5 V1.65 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
-6V±8V±10V±12V+15V,-5V±16V+18V,-5V+18V,-8V+19V,-8V20V±20V+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
15 pF @ 25 V20 pF @ 30 V27 pF @ 30 V28 pF @ 30 V31 pF @ 10 V31 pF @ 15 V31 pF @ 25 V33 pF @ 16 V34 pF @ 25 V34 pF @ 300 V35 pF @ 25 V36 pF @ 10 V
FET 功能
-耗尽模式肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
150mW150mW(Ta)200mW225mW(Ta)250mW250mW(Ta)275mW(Ta)300mW300mW(Ta)300mW(Ta),4.7W(Tc)300mW(Tj)328mW(Tj)
工作温度
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)6-QFN(2x2)8-DFN(5x6)8-HPSOF8-LFPAK8-PDFN(3.15x3.1)8-PDFN(3x3)8-PPAK(5.1x5.86)8-PQFN(5x6)8-QFN(3x3)8-QFN(5x6)8-SO
封装/外壳
3-XFDFN4-SMD,无引线6-PowerUDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-VSSOP,SC-88,SOT-3636-WDFN 裸露焊盘8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
617结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 617
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
EPC2361ENGRT
TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
EPC
5,023
现货
1 : ¥72.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥38.71590
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售------------------
IMBG65R007M2HXTMA1
IMBG65R007M2HXTMA1
SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Infineon Technologies
442
现货
1 : ¥356.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥254.57971
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V238A(Tc)15V,20V8.5 毫欧 @ 146.3A,18V5.6V @ 2.97mA179 nC @ 18 V+23V,-7V6359 pF @ 400 V-789W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-TO263-7-12TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
990
现货
1 : ¥8.50000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.41020
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V100A10V--------55°C ~ 100°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-338-PowerTDFN
910
现货
1 : ¥8.50000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.41020
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V100A10V--------55°C ~ 175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-338-PowerTDFN
990
现货
1 : ¥10.49000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.22769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V-10V--24 nC @ 10 V-----55°C ~ 175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-338-PowerTDFN
995
现货
1 : ¥12.21000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.90950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V120A10V--------55°C ~ 175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-348-PowerTDFN
992
现货
1 : ¥12.21000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.90950
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V120A10V--------55°C ~ 175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-348-PowerTDFN
1,000
现货
1 : ¥12.70000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.59782
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V222A(Tj)4.5V,10V1.13 毫欧 @ 60A,10V1.8V @ 45µA64 nC @ 10 V±16V4240 pF @ 20 V-105W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-348-PowerTDFN
980
现货
1 : ¥12.71000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.59782
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V-10V--55 nC @ 10 V-----55°C ~ 175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-348-PowerTDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMNR90-40YSNX
PSMNR90-40YSN/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
1,468
现货
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.85557
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V320A(Ta)10V0.97 毫欧 @ 25A,10V3.6V @ 1mA189 nC @ 10 V±20V10622 pF @ 25 V肖特基二极管(体)268W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型LFPAK56,Power-SO8SC-100,SOT-669
3,990
现货
1 : ¥13.13000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.80228
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V8.9A(Ta),55A(Tc)4.5V,10V15.2 毫欧 @ 29A,10V2.3V @ 60µA29 nC @ 10 V±20V2000 pF @ 75 V-2.5W(Ta),96W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TDSON-88-PowerTDFN
990
现货
1 : ¥15.74000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.93069
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V175A10V--------55°C ~ 175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-348-PowerTDFN
980
现货
1 : ¥15.74000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.93069
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V275A(Tj)4.5V,10V0.91 毫欧 @ 88A,10V1.8V @ 60µA85 nC @ 10 V±16V5704 pF @ 20 V-129W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-348-PowerTDFN
PJD45P03E-AU_L2_006A1
PJD45P03E-AU_L2_006A1
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
3,000
现货
1 : ¥15.77000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.09818
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V11.2A(Ta),42A(Tc)4.5V,10V15 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA32 nC @ 10 V±25V1270 pF @ 25 V-3W(Ta),43W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,990
现货
1 : ¥15.77000
剪切带(CT)
2,000 : ¥7.21820
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V58A(Ta),120A(Tj)7V,10V1.73 毫欧 @ 60A,10V3V @ 40µA49 nC @ 10 V±20V3250 pF @ 25 V-103W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-LHDSO-10-110-LSOP(0.216",5.48mm 宽)裸焊盘
PJD45P03E-AU_L2_006A1
PJD55P03E-AU_L2_006A1
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
3,000
现货
1 : ¥16.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.63223
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V12.4A(Ta),48A(Tc)4.5V,10V12.1 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA34 nC @ 10 V±25V1610 pF @ 25 V-3W(Ta),44W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
3,500
现货
1 : ¥18.43000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.13757
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V10.7A(Ta),76A(Tc)4.5V,10V10.5 毫欧 @ 40A,10V2.3V @ 91µA23 nC @ 4.5 V±20V3000 pF @ 75 V-2.5W(Ta),125W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TDSON-88-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS0D9N04XLT1G
40V T10S IN S08FL PACKAGE
onsemi
1,418
现货
1 : ¥19.86000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.42647
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V278A(Tc)4.5V,10V0.9 毫欧 @ 35A,10V2.2V @ 180µA70 nC @ 10 V±20V5160 pF @ 20 V-136W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN,5 引线
PJD45P03E-AU_L2_006A1
PJD90P03E-AU_L2_006A1
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
3,000
现货
1 : ¥22.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.96695
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V17A(Ta),88A(Tc)4.5V,10V6.4 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA68 nC @ 10 V±25V3040 pF @ 25 V-3W(Ta),79W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,000
现货
1 : ¥22.56000
剪切带(CT)
5,000 : ¥10.89281
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V430A(Tj)4.5V,10V0.52 毫欧 @ 88A,10V1.8V @ 95µA141 nC @ 10 V±16V9415 pF @ 20 V-179W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-438-PowerTDFN
3,954
现货
1 : ¥22.64000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.96004
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)150 V11.7A(Ta),87A(Tc)4.5V,10V8.8 毫欧 @ 46A,10V2.3V @ 107µA26 nC @ 4.5 V±20V3500 pF @ 75 V-2.5W(Ta),139W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PG-TDSON-88-PowerTDFN
1,000
现货
1 : ¥22.73000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.99761
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V-10V--124 nC @ 10 V-----55°C ~ 175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-438-PowerTDFN
931
现货
1 : ¥22.73000
剪切带(CT)
5,000 : ¥9.99761
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V175A10V--107 nC @ 10 V-----55°C ~ 175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型PG-TDSON-8-438-PowerTDFN
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS0D7N04XLT1G
40V T10S IN S08FL PACKAGE
onsemi
1,380
现货
1 : ¥22.68000
剪切带(CT)
1,500 : ¥11.72111
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V349A(Tc)4.5V,10V-2.2V @ 250µA96 nC @ 10 V±20V7090 pF @ 20 V-167W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-PowerTDFN,5 引线
4,910
现货
1 : ¥28.53000
剪切带(CT)
5,000 : ¥13.79400
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V32A(Ta), 275A(Tc)10V1.55 毫欧 @ 50A,10V3.45V @ 120µA113 nC @ 10 V±20V9000 pF @ 30 V-3W(Ta), 217W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型PG-TDSON-8 FL8-PowerTDFN
显示
/ 617

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。