单 FET,MOSFET

结果 : 56
制造商
Rohm SemiconductorSTMicroelectronics
系列
-*
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘管件
产品状态
不适用于新设计在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A(Tc)21A(Tc)23A(Tc)24A(Tc)24A(Tj)29A(Tc)30A(Tc)30A(Tj)31A(Tc)31A(Tj)38A(Tc)39A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
22.1 毫欧 @ 47A,18V28.6 毫欧 @ 36A,18V39 毫欧 @ 27A,18V52 毫欧 @ 20A,18V78 毫欧 @ 13A,18V100 毫欧 @ 20A,20V104 毫欧 @ 10A,18V137 毫欧 @ 7.6A,18V156 毫欧 @ 6.7A,18V208 毫欧 @ 5A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA(典型值)3.5V @ 1mA5.6V @ 10mA5.6V @ 13.3mA5.6V @ 18.2mA5.6V @ 2.5mA5.6V @ 23.5mA5.6V @ 3.33mA5.6V @ 3.81mA5.6V @ 5mA5.6V @ 6.67mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
38 nC @ 18 V42 nC @ 18 V48 nC @ 18 V51 nC @ 18 V58 nC @ 18 V60 nC @ 18 V104 nC @ 18 V105 nC @ 20 V107 nC @ 18 V131 nC @ 18 V133 nC @ 18 V172 nC @ 18 V178 nC @ 10 V178 nC @ 18 V
Vgs(最大值)
+22V,-4V+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
398 pF @ 800 V460 pF @ 500 V571 pF @ 500 V574 pF @ 800 V785 pF @ 800 V852 pF @ 500 V1337 pF @ 800 V1526 pF @ 500 V1700 pF @ 400 V2208 pF @ 500 V2222 pF @ 800 V2879 pF @ 800 V2884 pF @ 500 V
功率耗散(最大值)
100W103W103W(Tc)125W134W134W(Tc)159W165W165W(Tc)262W262W(Tc)267W270W(Tc)339W
工作温度
-55°C ~ 200°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
H2PAK-2HiP247™TO-247-4LTO-247NTO-263-7TO-263-7L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
56结果
搜索条目

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,104
现货
1 : ¥82.03000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V17A(Tc)18V208 毫欧 @ 5A,18V5.6V @ 2.5mA42 nC @ 18 V+22V,-4V398 pF @ 800 V-103W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3060ALGC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Rohm Semiconductor
430
现货
1 : ¥110.89000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V39A(Tc)18V78 毫欧 @ 13A,18V5.6V @ 6.67mA58 nC @ 18 V+22V,-4V852 pF @ 500 V-165W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3030ALGC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
9,107
现货
1 : ¥243.41000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V70A(Tc)18V39 毫欧 @ 27A,18V5.6V @ 13.3mA104 nC @ 18 V+22V,-4V1526 pF @ 500 V-262W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3040KLGC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Rohm Semiconductor
1,584
现货
1 : ¥310.80000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V55A(Tc)18V52 毫欧 @ 20A,18V5.6V @ 10mA107 nC @ 18 V+22V,-4V1337 pF @ 800 V-262W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3022KLGC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
126
现货
1 : ¥409.42000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V95A(Tc)18V28.6 毫欧 @ 36A,18V5.6V @ 18.2mA178 nC @ 10 V+22V,-4V2879 pF @ 800 V-427W175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3022ALGC11
SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Rohm Semiconductor
1,493
现货
1 : ¥414.46000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V93A(Tc)18V28.6 毫欧 @ 36A,18V5.6V @ 18.2mA133 nC @ 18 V+22V,-4V2208 pF @ 500 V-339W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
6,516
现货
1 : ¥71.54000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V21A(Tc)18V156 毫欧 @ 6.7A,18V5.6V @ 3.33mA38 nC @ 18 V+22V,-4V460 pF @ 500 V-103W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247-3
SCT3080ALGC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Rohm Semiconductor
1,545
现货
1 : ¥97.31000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V30A(Tc)18V104 毫欧 @ 10A,18V5.6V @ 5mA48 nC @ 18 V+22V,-4V571 pF @ 500 V-134W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3160KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
601
现货
1 : ¥123.57000
管件
-
管件
不适用于新设计N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V17A(Tc)18V208 毫欧 @ 5A,18V5.6V @ 2.5mA42 nC @ 18 V+22V,-4V398 pF @ 800 V-103W175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247NTO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT3080KRC14
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L
Rohm Semiconductor
390
现货
1 : ¥133.98000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V31A(Tc)18V104 毫欧 @ 10A,18V5.6V @ 5mA60 nC @ 18 V+22V,-4V785 pF @ 800 V-165W175°C(TJ)--通孔TO-247-4LTO-247-4
SCT4026DRHRC15
SCT3030ARC14
SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
Rohm Semiconductor
171
现货
1 : ¥399.74000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V70A(Tc)18V39 毫欧 @ 27A,18V5.6V @ 13.3mA104 nC @ 18 V+22V,-4V1526 pF @ 500 V-262W175°C(TJ)--通孔TO-247-4LTO-247-4
SCT4026DRHRC15
SCT3040KRC14
SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L
Rohm Semiconductor
828
现货
1 : ¥422.43000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V55A(Tc)18V52 毫欧 @ 20A,18V5.6V @ 10mA107 nC @ 18 V+22V,-4V1337 pF @ 800 V-262W175°C(TJ)--通孔TO-247-4LTO-247-4
TO-247N
SCT3030KLGC11
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Rohm Semiconductor
315
现货
1 : ¥634.05000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V72A(Tc)18V39 毫欧 @ 27A,18V5.6V @ 13.3mA131 nC @ 18 V+22V,-4V2222 pF @ 800 V-339W(Tc)175°C(TJ)--通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3120ALHRC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
2,232
现货
1 : ¥80.89000
管件
-
管件
不适用于新设计N 通道SiCFET(碳化硅)650 V21A(Tc)18V156 毫欧 @ 6.7A,18V5.6V @ 3.33mA38 nC @ 18 V+22V,-4V460 pF @ 500 V-103W175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3080KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Rohm Semiconductor
842
现货
1 : ¥146.66000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V31A(Tc)18V104 毫欧 @ 10A,18V5.6V @ 5mA60 nC @ 18 V+22V,-4V785 pF @ 800 V-165W175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3017ALHRC11
SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Rohm Semiconductor
1,106
现货
1 : ¥980.05000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V118A(Tc)18V22.1 毫欧 @ 47A,18V5.6V @ 23.5mA172 nC @ 18 V+22V,-4V2884 pF @ 500 V-427W175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247NTO-247-3
TO-247N
SCT3022KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Rohm Semiconductor
1,130
现货
1 : ¥1,037.04000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V95A(Tc)18V28.6 毫欧 @ 36A,18V5.6V @ 18.2mA178 nC @ 18 V+22V,-4V2879 pF @ 800 V-427W175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247NTO-247-3
SCT3series
SCT3105KW7TL
SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7
Rohm Semiconductor
1,905
现货
1 : ¥85.93000
剪切带(CT)
1,000 : ¥72.04055
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V23A(Tc)-137 毫欧 @ 7.6A,18V5.6V @ 3.81mA51 nC @ 18 V+22V,-4V574 pF @ 800 V-125W175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT3series
SCT3120AW7TL
SICFET N-CH 650V 21A TO263-7
Rohm Semiconductor
810
现货
1 : ¥86.26000
剪切带(CT)
1,000 : ¥54.61497
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V21A(Tc)-156 毫欧 @ 6.7A,18V5.6V @ 3.33mA38 nC @ 18 V+22V,-4V460 pF @ 500 V-100W175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT3series
SCT3160KW7TL
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Rohm Semiconductor
3,924
现货
1 : ¥88.13000
剪切带(CT)
1,000 : ¥55.80534
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V17A(Tc)-208 毫欧 @ 5A,18V5.6V @ 2.5mA42 nC @ 18 V+22V,-4V398 pF @ 800 V-100W175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT3series
SCT3060AW7TL
SICFET N-CH 650V 38A TO263-7
Rohm Semiconductor
1,189
现货
1 : ¥104.31000
剪切带(CT)
1,000 : ¥87.41611
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V38A(Tc)-78 毫欧 @ 13A,18V5.6V @ 6.67mA58 nC @ 18 V+22V,-4V852 pF @ 500 V-159W175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT3series
SCT3080AW7TL
SICFET N-CH 650V 29A TO263-7
Rohm Semiconductor
919
现货
1 : ¥113.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥71.90267
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V29A(Tc)-104 毫欧 @ 10A,18V5.6V @ 5mA48 nC @ 18 V+22V,-4V571 pF @ 500 V-125W175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT3series
SCT3080KW7TL
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Rohm Semiconductor
785
现货
1 : ¥156.26000
剪切带(CT)
1,000 : ¥98.98626
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道SiCFET(碳化硅)1200 V30A(Tc)-104 毫欧 @ 10A,18V5.6V @ 5mA60 nC @ 18 V+22V,-4V785 pF @ 800 V-159W175°C(TJ)--表面贴装型TO-263-7TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT4026DRHRC15
SCT3080ARC14
SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Rohm Semiconductor
254
现货
1 : ¥158.04000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V30A(Tc)18V104 毫欧 @ 10A,18V5.6V @ 5mA48 nC @ 18 V+22V,-4V571 pF @ 500 V-134W175°C(TJ)--通孔TO-247-4LTO-247-4
TO-247N
SCT3080ALHRC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Rohm Semiconductor
454
现货
1 : ¥164.87000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET(碳化硅)650 V30A(Tc)18V104 毫欧 @ 10A,18V5.6V @ 5mA48 nC @ 18 V+22V,-4V571 pF @ 500 V-134W175°C(TJ)汽车级AEC-Q101通孔TO-247NTO-247-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。