RF FET,MOSFET

结果 : 123
系列
-*GOLDMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
技术
LDMOSMOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)N 通道双,共源
频率
45MHz300MHz390MHz ~ 450MHz500MHz ~ 1.4GHz730MHz ~ 960MHz765MHz800MHz894MHz900MHz920MHz ~ 960MHz940MHz960MHz ~ 1.215GHz
增益
14dB14.2dB14.8dB15dB15.5dB15.8dB15.9dB16dB16.5dB17dB17.5dB18dB
电压 - 测试
3 V5 V8 V9 V10 V28 V30 V32 V50 V
额定电流(安培)
1µA10µA16mA20mA25mA25mA,20mA30mA40mA-
噪声系数
1.1dB1.2dB1.3dB1.4dB1.5dB1.6dB1.8dB2.1dB2.8dB-
电流 - 测试
10 mA14 mA15 mA120 mA150 mA170 mA180 mA400 mA450 mA500 mA520 mA550 mA
功率 - 输出
5W10W11W12W18W30W35W44dBm45W50W55W100W
电压 - 额定
8 V12 V20 V28 V30 V50 V65 V105 V
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
2-扁平封装,叶片引线2-扁平封装,叶片引线,带法兰6-VSSOP,SC-88,SOT-36310-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)-H-32259-2H-33288-2H-36260-2H-36265-2H-36275-4H-37248-4H-37248G-4/2H-37275G-6/2SC-82A,SOT-343
供应商器件封装
-H-30248-2H-30260-2H-30265-2H-30275-4H-31248-2H-31265-2H-32259-2H-33288-2H-36248-2H-36260-2H-36265-2
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
123结果
应用的筛选条件 删除全部

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流(安培)
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz22dB5 V25mA1.6dB--8 V--表面贴装型TO-253-4,TO-253AAPG-SOT-143-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)800MHz24dB5 V25mA1.3dB14 mA-8 V--表面贴装型6-VSSOP,SC-88,SOT-363PG-SOT363-PO
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)800MHz24dB5 V25mA1.3dB14 mA-8 V--表面贴装型6-VSSOP,SC-88,SOT-363PG-SOT363-PO
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz19dB5 V25mA1.6dB--8 V--表面贴装型TO-253-4,TO-253AAPG-SOT-143-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz22dB9 V25mA1.4dB--12 V--表面贴装型SOT-143RPG-SOT-143R-3D
2-Flatpack, Fin Leads
PTFA210601EV4XWSA1
RF MOSFET LDMOS 28V H-36265-2
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥425.91180
托盘
-
托盘
停产LDMOS-2.14GHz16dB28 V10µA-550 mA12W65 V--表面贴装型H-36265-2H-36265-2
2-Flatpack, Fin Leads
PTFA181001EV4XWSA1
RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥641.10940
托盘
-
托盘
停产LDMOS-1.88GHz16.5dB28 V1µA-750 mA100W65 V--表面贴装型2-扁平封装,叶片引线H-36248-2
2-Flatpack, Fin Leads
PTFA191001EV4XWSA1
RF MOSFET LDMOS 30V H-36248-2
Infineon Technologies
0
现货
50 : ¥641.10940
托盘
-
托盘
停产LDMOS-1.96GHz17dB30 V10µA-900 mA44dBm65 V--表面贴装型2-扁平封装,叶片引线H-36248-2
2-Flatpack, Fin Leads
PTF141501E V1
RF MOSFET LDMOS 28V H-30260-2
Infineon Technologies
0
现货
35 : ¥1,053.84029
托盘
托盘
停产LDMOS-1.5GHz16.5dB28 V1µA-1.5 A150W65 V--表面贴装型2-扁平封装,叶片引线H-30260-2
2-Flatpack, Fin Leads
PTFA192401EV4XWSA1
RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
Infineon Technologies
0
现货
35 : ¥1,136.90057
托盘
-
托盘
停产LDMOS-1.96GHz16dB30 V10µA-1.6 A50W65 V--底座安装H-36260-2H-36260-2
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道45MHz28dB8 V30mA2.8dB10 mA-12 V--表面贴装型TO-253-4,TO-253AAPG-SOT-143-3D
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带(TR)
Digi-Key 停止提供MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz22dB5 V25mA1.6dB--8 V--表面贴装型TO-253-4,TO-253AAPG-SOT-143-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz22dB5 V25mA1.6dB--8 V--表面贴装型SOT-143RPG-SOT-143R-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz22dB9 V25mA1.4dB--12 V--表面贴装型TO-253-4,TO-253AAPG-SOT-143-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz23dB5 V40mA1.5dB10 mA-8 V--表面贴装型TO-253-4,TO-253AAPG-SOT-143-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz23dB5 V40mA1.5dB10 mA-8 V--表面贴装型SOT-143RPG-SOT-143R-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz23dB5 V40mA1.5dB10 mA-8 V--表面贴装型SC-82A,SOT-343PG-SOT343-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz23dB5 V40mA1.6dB15 mA-8 V--表面贴装型TO-253-4,TO-253AAPG-SOT-143-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz23dB5 V40mA1.6dB15 mA-8 V--表面贴装型SOT-143RPG-SOT-143R-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz23dB5 V40mA1.6dB15 mA-8 V--表面贴装型SC-82A,SOT-343PG-SOT343-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道800MHz24dB3 V25mA1.3dB10 mA-8 V--表面贴装型SC-82A,SOT-343PG-SOT343-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道45MHz28dB8 V30mA2.8dB10 mA-12 V--表面贴装型SOT-143RPG-SOT-143R-3D
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 通道45MHz27dB10 V30mA2.1dB10 mA-20 V--表面贴装型TO-236-3,SC-59,SOT-23-3PG-SOT23
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)800MHz25dB5 V25mA,20mA1.8dB14 mA-8 V--表面贴装型6-VSSOP,SC-88,SOT-363PG-SOT363-PO
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)800MHz24dB5 V25mA1.3dB14 mA-8 V--表面贴装型6-VSSOP,SC-88,SOT-363PG-SOT363-PO
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RF FET,MOSFET


射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。