FET、MOSFET 阵列

结果 : 18
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
125mA710mA900mA1.2A2.4A3.1A3.5A3.9A4A4.6A5A5.6A7.8A9.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18.5 毫欧 @ 5A,4.5V19 毫欧 @ 3.5A,4.5V22 毫欧 @ 4.2A,10V23 毫欧 @ 3.5A,4.5V30 毫欧 @ 3.5A,4.5V33 毫欧 @ 3.5A,4.5V37 毫欧 @ 4.6A,4.5V46 毫欧 @ 3A,4.5V50 毫欧 @ 3.9A,4.5V50 毫欧 @ 5A,10V70 毫欧 @ 1A,4.5V73 毫欧 @ 3.1A,4.5V100 毫欧 @ 2.2A,10V120 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35nC @ 4.5V0.89nC @ 4.5V1.1nC @ 4.5V1.3nC @ 4.5V2.5nC @ 4.5V2.9nC @ 4.5V3.5nC @ 4.5V4.4nC @ 4.5V4.7nC @ 4.5V6nC @ 10V6nC @ 4.5V11.6nC @ 4.5V22.2nC @ 4.5V23.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
18.5pF @ 5V43pF @ 25V75pF @ 15V83pF @ 10V143pF @ 15V170pF @ 15V185pF @ 10V250pF @ 20V265pF @ 10V268pF @ 10V380pF @ 10V740pF @ 16V1366pF @ 16V1450pF @ 16V
功率 - 最大值
200mW390mW410mW475mW510mW520mW900mW2W2.3W3.1W4.2W
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装
6-HUSON(2x2)6-TSSOP8-SO8-TSSOP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
18结果
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/ 18
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT1118
PMDPB95XNE,115
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V2.4A120 毫欧 @ 2A,4.5V1.5V @ 250µA2.5nC @ 4.5V143pF @ 15V475mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-UDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
SOT1118
PMDPB38UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V4A46 毫欧 @ 3A,4.5V1V @ 250µA4.4nC @ 4.5V268pF @ 10V510mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-UDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
SOT1118
PMDPB28UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6HUSON
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V4.6A37 毫欧 @ 4.6A,4.5V1V @ 250µA4.7nC @ 4.5V265pF @ 10V510mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-UDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
SOT1118
PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V3.9A50 毫欧 @ 3.9A,4.5V1V @ 250µA3.5nC @ 4.5V185pF @ 10V510mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-UDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
SOT1118
PMDPB56XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6HUSON
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V3.1A73 毫欧 @ 3.1A,4.5V1.5V @ 250µA2.9nC @ 4.5V170pF @ 15V510mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-UDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
SOT 363
PMGD175XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V900mA225 毫欧 @ 1A,4.5V1.5V @ 250µA1.1nC @ 4.5V75pF @ 15V390mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
8-TSSOP
PMWD15UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V11.6A18.5 毫欧 @ 5A,4.5V700mV @ 1mA22.2nC @ 4.5V1450pF @ 16V4.2W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
8-TSSOP
PMWD16UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V9.9A19 毫欧 @ 3.5A,4.5V700mV @ 1mA23.6nC @ 4.5V1366pF @ 16V3.1W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
8-TSSOP
PMWD19UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V5.6A23 毫欧 @ 3.5A,4.5V700mV @ 1mA28nC @ 5V1478pF @ 10V2.3W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
8-TSSOP
PMWD20XN,118
MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V10.4A22 毫欧 @ 4.2A,10V1.5V @ 1mA11.6nC @ 4.5V740pF @ 16V4.2W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
8-TSSOP
PMWD26UN,518
MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V7.8A30 毫欧 @ 3.5A,4.5V700mV @ 1mA23.6nC @ 4.5V1366pF @ 16V3.1W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
8-TSSOP
PMWD30UN,518
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V5A33 毫欧 @ 3.5A,4.5V700mV @ 1mA28nC @ 5V1478pF @ 10V2.3W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
SOT 363
PMGD400UN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V710mA480 毫欧 @ 200mA,4.5V1V @ 250µA0.89nC @ 4.5V43pF @ 25V410mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
SOT 363
PMGD8000LN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V125mA8 欧姆 @ 10mA,4V1.5V @ 100µA0.35nC @ 4.5V18.5pF @ 5V200mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
8 SOIC
SI9936DY,518
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SO
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V5A50 毫欧 @ 5A,10V1V @ 250µA35nC @ 10V-900mW150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
8 SOIC
PHN210,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V-100 毫欧 @ 2.2A,10V2.8V @ 1mA6nC @ 10V250pF @ 20V2W-65°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
SOT1118
PMDPB65UP,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门20V3.5A70 毫欧 @ 1A,4.5V1V @ 250µA6nC @ 4.5V380pF @ 10V520mW150°C(TJ)表面贴装型6-UDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
SOT 363
PMGD130UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
NXP USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V1.2A145 毫欧 @ 1.2A,4.5V1V @ 250µA1.3nC @ 4.5V83pF @ 10V390mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。