FET、MOSFET 阵列

结果 : 5,137
制造商
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCGE AerospaceGeneSiC SemiconductorGoford Semiconductor
系列
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)碳化硅(SiC)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N 和 2 P 沟道(双)配对2 N 沟道(双路降压斩波器)2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)配对2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(双),P 沟道2 N 沟道(相角)2 N 沟道,共漏2 N-沟道(级联)2 N-通道(双)
FET 功能
-碳化硅(SiC)耗尽模式逻辑电平栅极,0.9V 驱动逻辑电平栅极,1.2V 驱动逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平栅极,5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V,20V14V15V16V20V20V,12V20V,8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12mA,3mA40mA40mA,16mA50mA(Ta)80mA100mA100mA(Ta)100mA,200mA100mA,5.5A115mA115mA(Ta)115mA(Ta),130mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.46 毫欧 @ 160A,12V0.762 毫欧 @ 160A,12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.580mOhm @ 160A, 12V0.765mOhm @ 160A, 12V, 0.710mOhm @ 160A, 12V0.8 毫欧 @ 1200A,10V0.88 毫欧 @ 160A,14V,0.71 毫欧 @ 160A,14V0.88mOhm @ 50A, 10V0.95 毫欧 @ 30A,10V0.95 毫欧 @ 8A,4.5V0.99 毫欧 @ 80A,10V,1.35 毫欧 @ 80A,10V1.039 毫欧 @ 160A,12V,762 微欧 @ 160A,12V1.2 毫欧 @ 800A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA(最小)420mV @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4pC @ 4.5V,7.3nC @ 4.5V0.45pC @ 4.5V0.16nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.22nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.26nC @ 2.5V0.28nC @ 4.5V0.28nC @ 4.5V,0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V,0.28nC @ 4.5V0.304nC @ 4.5V0.31nC @ 4.5V0.32nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.5pF @ 5V3pF @ 5V6pF @ 3V6.2pF @ 10V6.6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7.1pF @ 10V7.4pF @ 10V7.5pF @ 10V8.5pF @ 3V9pF @ 15V
功率 - 最大值
490µW500µW(Ta)10mW20mW120mW125mW125mW(Ta)140mW150mW150mW(Ta)180mW200mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
封装/外壳
4-SMD,无引线4-UFBGA,WLBGA4-UFBGA,WLCSP4-VDFN4-VFDFN 裸露焊盘4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA,DSBGA4-XFBGA,FCBGA4-XFBGA,WLBGA4-XFBGA,WLCSP4-XFDFN
供应商器件封装
4 片式 LGA(1.59x1.59)4-AlphaDFN(0.97x0.97)4-AlphaDFN(1.2x1.2)4-AlphaDFN(1.9x1.3)4-BGA(1x1)4-CSP(0.8x0.8)4-CSP(1.11x1.11)4-CSP(1.1x1.1)4-CSP(1.29x1.29)4-CSP(1.74x1.74)4-DFN(1.5x1.5)4-DFN(1.7x1.7)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5,137结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 5,137
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
379,431
现货
1 : ¥2.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47527
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,0.9V 驱动50V200mA2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V800mV @ 1mA-26pF @ 10V120mW150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363UMT6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
179,488
现货
1 : ¥2.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50050
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V230mA7.5 欧姆 @ 50mA,5V2V @ 250µA-50pF @ 25V310mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-363
SOT 363
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
259,387
现货
135,000
工厂
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85363
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门20V540mA,430mA550 毫欧 @ 540mA,4.5V1V @ 250µA-150pF @ 16V250mW-65°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71,822
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V610mA(Ta)396 毫欧 @ 500mA,4.5V1V @ 250µA2nC @ 8V43pF @ 10V220mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SC-89(SOT-563F)
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
60,454
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78388
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V250mA1.5 欧姆 @ 10mA,4V1.5V @ 100µA1.3nC @ 5V33pF @ 5V272mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
28,579
现货
1 : ¥2.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52465
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V320mA1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.4V @ 250µA0.8nC @ 4.5V50pF @ 10V420mW150°C(TJ)汽车级AEC-Q100表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
360,100
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54020
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.5V 驱动20V250mA(Ta)2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V1V @ 1mA-12pF @ 10V300mW150°C--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251,547
现货
12,500
工厂
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.80957
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门30V3.9A70 毫欧 @ 5.3A,10V3V @ 250µA11nC @ 10V563pF @ 25V1.1W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
100,212
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.66100
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,0.9V 驱动50V200mA2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V800mV @ 1mA-26pF @ 10V120mW150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56,537
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69521
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V3.8A,2.5A55 毫欧 @ 3.4A,10V1.5V @ 250µA12.3nC @ 10V422pF @ 15V850mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
30,209
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.85841
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门20V540mA,430mA550 毫欧 @ 540mA,4.5V1V @ 250µA2.5nC @ 4.5V150pF @ 16V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
173,739
现货
2,766,000
工厂
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58470
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门20V1.03A,700mA480 毫欧 @ 200mA,5V900mV @ 250µA0.5nC @ 4.5V37.1pF @ 10V450mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
65,977
现货
342,000
工厂
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87770
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V280mA7.5 欧姆 @ 50mA,5V2.5V @ 250µA-50pF @ 25V150mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
51,992
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87640
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 沟道-30V5A32 毫欧 @ 5.8A,10V1.5V @ 250µA-1155pF @ 15V1.4W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-VDFN 裸露焊盘DFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29,681
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09002
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V370mA1.4 欧姆 @ 340mA,10V2.5V @ 250µA1.4nC @ 10V18.5pF @ 30V510mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-70-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
25,941
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10699
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V6.2A30 毫欧 @ 5.8A,10V2V @ 250µA10.6nC @ 10V500pF @ 15V1W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-UDFN 裸露焊盘U-DFN2020-6(B 类)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104,879
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60058
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V300mA3 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6nC @ 10V20pF @ 25V500mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-VSSOP,SC-88,SOT-363PG-SOT363-PO
68,917
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.60376
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V100mA4 欧姆 @ 10mA,4V1.5V @ 100µA-8.5pF @ 3V150mW150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
66,292
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59502
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门50V160mA7.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.35nC @ 5V36pF @ 25V445mW-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1,894
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V700mA,500mA388 毫欧 @ 600mA,10V2.5V @ 250µA1.5nC @ 10V28pF @ 15V340mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
349,978
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V320mA1.6 欧姆 @ 300mA,10V1.5V @ 250µA0.8nC @ 4.5V50pF @ 10V420mW150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257,410
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62044
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V300mA(Ta)1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.1V @ 250µA0.6nC @ 4.5V50pF @ 10V295mW150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173,220
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16270
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道,共漏逻辑电平门30V6A,5.5A30 毫欧 @ 6A,10V2.4V @ 250µA6.3nC @ 10V310pF @ 15V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
121,430
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.14333
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门50V510mA2 欧姆 @ 510mA,10V2.5V @ 250µA1nC @ 10V20pF @ 25V700mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SuperSOT™-6
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
71,478
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V860mA350 毫欧 @ 200mA,4.5V1.5V @ 250µA0.72nC @ 4.5V34pF @ 20V410mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-TSSOP
显示
/ 5,137

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。