FET、MOSFET 阵列

结果 : 55
系列
-DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIDeepGATE™, STripFET™ VIIECOPACK®STripFET™STripFET™ F6STripFET™ F7STripFET™ IISTripFET™ IIISTripFET™ VSTripFET™ VISuperMESH3™SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 N 沟道(双)非对称型2 N-通道(双)2 个 N 通道(半桥)2 个 P 沟道(双)4 个 N 通道6 个 N 沟道N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V40V60V80V100V450V650V1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA500mA2A3A4A4A,3A4.5A5A5A(Ta)6A7A,4A8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.45 毫欧 @ 360A,18V4.5 毫欧 @ 12A,10V6 毫欧 @ 10A,10V6.5 毫欧 @ 10A,10V6.5 毫欧 @ 9.5A,10V8.5 毫欧 @ 20A,10V9 毫欧 @ 7.5A,10V9.2 毫欧 @ 6.8A,10V11 毫欧 @ 7.5A,10V16毫欧 @ 6A,10V18 毫欧 @ 5.5A,10V19 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA1V @ 1µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.7V @ 250µA4V @ 250µA4.4V @ 40mA4.5V @ 250µA4.5V @ 50µA4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.5nC @ 10V4.5nC @ 4.5V4.6nC @ 4.5V4.6nC @ 5V5.4nC @ 4.5V6nC @ 10V6nC @ 4.5V6.6nC @ 4.5V7.8nC @ 10V7.9nC @ 10V8nC @ 10V8.8nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
121pF @ 25V150pF @ 25V160pF @ 25V315pF @ 25V330pF @ 25V380pF @ 25V408pF @ 50V420pF @ 30V432pF @ 25V460pF @ 15V460pF @ 25V475pF @ 24V
功率 - 最大值
1.3W1.5W1.6W2W2.5W2.7W3.2W23W,50W52W57W(Tc)57.7W(Tc)58W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)9-PowerSMD32-PowerDIP 模块(1.264",32.10mm)模块
供应商器件封装
8-SO8-SOIC8-TSSOP9-ACEPACK SMITACEPACK 1ACEPACK DMT-32ACEPACKPowerFlat™(5x6)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
55结果
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/ 55
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC Pkg
STS8DN6LF6AG
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
STMicroelectronics
3,489
现货
1 : ¥12.03000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.99299
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V8A(Ta)24 毫欧 @ 4A,10V2.5V @ 250µA27nC @ 10V1340pF @ 25V3.2W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
8-SOIC
STS1DNC45
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
STMicroelectronics
5,744
现货
1 : ¥16.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.63762
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-450V400mA4.5 欧姆 @ 500mA,10V3.7V @ 250µA10nC @ 10V160pF @ 25V1.6W150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
STS4DNF60L
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
STMicroelectronics
10,614
现货
1 : ¥18.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.12250
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V4A55 毫欧 @ 2A,10V2.5V @ 250µA15nC @ 4.5V1030pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
PowerFlat 5x6
STL8DN6LF6AG
MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
STMicroelectronics
17,932
现货
1 : ¥12.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.31689
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售-2 N-通道(双)--32A(Tc)27 毫欧 @ 9.6A,10V2.5V @ 250µA----55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
PowerFlat 5x6
STL8DN6LF3
MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
STMicroelectronics
20,991
现货
1 : ¥15.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.03482
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V20A30 毫欧 @ 4A,10V2.5V @ 250µA13nC @ 10V668pF @ 25V65W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
M1F45M12W2-1LA
AUTOMOTIVE-GRADE ACEPACK DMT-32
STMicroelectronics
70
现货
1 : ¥411.51000
管件
管件
在售碳化硅(SiC)4 个 N 通道-1200V(1.2kV)30A(Tc)64 毫欧 @ 20A,18V5V @ 1mA100nC @ 18V2086pF @ 800V--40°C ~ 175°C(TJ)--通孔32-PowerDIP 模块(1.264",32.10mm)ACEPACK DMT-32
8-SOIC
STS8DNF3LL
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
STMicroelectronics
4,832
现货
1 : ¥10.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.31828
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V8A20 毫欧 @ 4A,10V1V @ 250µA17nC @ 5V800pF @ 25V1.6W150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
STS10DN3LH5
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
STMicroelectronics
11,132
现货
1 : ¥11.06000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.57494
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V10A21 毫欧 @ 5A,10V1V @ 250µA4.6nC @ 5V475pF @ 25V2.5W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
STS8DN3LLH5
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
STMicroelectronics
4,816
现货
1 : ¥12.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.53656
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V10A19 毫欧 @ 5A,10V1V @ 250µA5.4nC @ 4.5V724pF @ 25V2.7W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
STS5DNF60L
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOIC
STMicroelectronics
2,215
现货
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.58026
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V5A45 毫欧 @ 2A,10V2.5V @ 250µA15nC @ 4.5V1030pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
PowerFlat™
STL76DN4LF7AG
MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
STMicroelectronics
3,010
现货
1 : ¥12.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.69927
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V40A(Tc)6 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA17nC @ 10V956pF @ 25V71W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
PowerFlat 5x6
STL7DN6LF3
MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,698
现货
1 : ¥13.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.08148
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V20A43 毫欧 @ 3A,10V3V @ 250µA8.8nC @ 10V432pF @ 25V52W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
8PowerVDFN
STL15DN4F5
MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
1,170
现货
1 : ¥22.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.97783
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门40V60A9 毫欧 @ 7.5A,10V4V @ 250µA25nC @ 10V1550pF @ 25V60W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
PowerFlat Series
STL40DN3LLH5
MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,990
现货
1 : ¥11.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.74642
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V40A18 毫欧 @ 5.5A,10V1.5V @ 250µA4.5nC @ 4.5V475pF @ 25V60W-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
PowerFlat 5x6
STL50DN6F7
MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
STMicroelectronics
4,928
现货
1 : ¥13.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.47156
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V57A(Tc)11 毫欧 @ 7.5A,10V4V @ 250µA17nC @ 10V1035pF @ 30V62.5W-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
PowerFlat 5x6
STL8DN10LF3
MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,867
现货
1 : ¥22.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.83042
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门100V20A35 毫欧 @ 4A,10V3V @ 250µA20.5nC @ 10V970pF @ 25V70W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
SH32N65DM6AG
SH32N65DM6AG
MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK
STMicroelectronics
234
现货
1 : ¥166.41000
剪切带(CT)
200 : ¥129.31875
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-650V32A(Tc)97 毫欧 @ 23A,10V4.75V @ 250µA47nC @ 10V2211pF @ 100V208W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型9-PowerSMD9-ACEPACK SMIT
8-SOIC
STS5DP3LLH6
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SO
STMicroelectronics
0
现货
停产
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平栅极,4.5V 驱动30V5A(Ta)56 毫欧 @ 2.5A,10V2.5V @ 250µA6nC @ 4.5V639pF @ 25V2.7W150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
SH63N65DM6AG
MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
STMicroelectronics
46
现货
1 : ¥213.97000
剪切带(CT)
200 : ¥166.26700
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-650V53A(Tc)64 毫欧 @ 23A,10V4.75V @ 250µA80nC @ 10V3344pF @ 100V424W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型9-PowerSMD9-ACEPACK SMIT
8-SOIC
STS2DNF30L
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
STMicroelectronics
0
现货
1 : ¥6.58000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.51557
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V3A110 毫欧 @ 1A,10V2.5V @ 250µA4.5nC @ 10V121pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
PowerFlat 5x6
STL36DN6F7
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥8.54000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.54497
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V33A(Tc)27 毫欧 @ 4.5A,10V4V @ 250µA8nC @ 10V420pF @ 30V58W-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
8PowerVDFN
STL66DN3LLH5
MOSFET 2N-CH 30V 78.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥17.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.72607
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V78.5A6.5 毫欧 @ 10A,10V3V @ 250µA12nC @ 4.5V1500pF @ 25V72W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPowerFlat™(5x6)
MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
SH68N65DM6AG
MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥277.29000
剪切带(CT)
200 : ¥215.53130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-650V64A(Tc)41 毫欧 @ 23A,10V4.75V @ 250µA116nC @ 10V5900pF @ 100V379W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型9-PowerSMD9-ACEPACK SMIT
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
A1F25M12W2-F1
SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥1,515.73000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)4 个 N 通道-1200V(1.2kV)50A34 毫欧 @ 50A,18V4.9V @ 5mA147nC @ 18V3500pF @ 800V-175°C(TJ)--底座安装模块ACEPACK 1
SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK
ADP360120W3
SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥20,855.22000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)6 个 N 沟道-1200V(1.2kV)379A(Tj)3.45 毫欧 @ 360A,18V4.4V @ 40mA944nC @ 18V28070pF @ 800V704W(Tj)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块ACEPACK
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/ 55

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。