FET、MOSFET 阵列

结果 : 46
制造商
Comchip TechnologyGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoQorvoRohm SemiconductorSemiQTaiwan Semiconductor CorporationWolfspeed, Inc.
系列
-*CoolSiC™OptiMOS™ 5OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)碳化硅(SiC)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 P 沟道(半桥)2 个 N 沟道2 个 N 通道(半桥)2 个 P 沟道4 N 沟道(全桥)4 N 沟道(半桥)4 P 沟道(全桥)N 和 P 沟道N 和 P 沟道,共漏
FET 功能
-碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss)
30V40V60V100V1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA(Ta)320mA(Ta)330mA(Ta)2A(Ta)4.5A(Ta),5.5A(Ta)6A (Ta), 4.4A (Ta)10A(Tc)11A(Ta)18A(Tc)19A (Ta), 139A (Tc)24A(Tj)27A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.88mOhm @ 50A, 10V1.6 毫欧 @ 50A,10V4 毫欧 @ 50A,10V4.44 毫欧 @ 280A,18V6.5 毫欧 @ 20A,10V7 毫欧 @ 200A,20V12 毫欧 @ 100A,20V12 毫欧 @ 70A,12V14 毫欧 @ 100A,20V24 毫欧 @ 50A,12V24mOhm @ 5A, 10V, 48mOhm @ 4A, 10V28 毫欧 @ 50A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 250µA,3.5V @ 250µA2.8V @ 780µA3.3V @ 86µA3.8V @ 85µA4V @ 10mA4V @ 20mA4V @ 40mA4V @ 80mA5.1V @ 112mA6V @ 10mA6V @ 20mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.7nC @ 10V1.8nC @ 10V1.9nC @ 10V3.5nC @ 10V,17.2nC @ 10V9nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V11nC @ 10V,17nC @ 10V19.7nC @ 10V22nC @ 10V,25nC @ 10V25nC @ 10V34.5nC @ 10V42.5nC @ 15V46nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
27.5pF @ 30V28pF @ 30V38.2pF @ 30V150pF @ 20V,920pF @ 20V390pF @ 20V,1080pF @ 20V590pF @ 50V750pF @ 25V, 900pF @ 25V1330pF @ 30V1350pF @ 30V,2610pF @ 30V1362pF @ 800V1445pF @ 800V1450pF @ 800V
功率 - 最大值
320mW(Ta)337mW (Ta)1.1W(Ta)1.38W(Ta)2W(Ta)2.1W(Tj),2.3W(Tj)3W(Ta),167W(Tc)20W(Tc)50W(Tj)96W(Tc)114W(Tc)119W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-PowerLDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)10-PowerVDFN10-PowerWDFNTO-252-5,DPAK(4 引线 + 耳片),TO-252AD模块
供应商器件封装
8-DFN(3.15x3.05)8-SOP-AG-62MMHBDFN3333-DPDFN5060-8DPG-VITFN-10-1PG-WHITFN-10-1SOT-363TO-252-4TSMT8模块
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
46结果
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/ 46
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
P-CHANNEL MOSFET,SOP-8
MCQ11NP04-TP
P-CHANNEL MOSFET,SOP-8
Micro Commercial Co
7,990
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.18692
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-40V11A(Ta)32 毫欧 @ 7A,10V,33 毫欧 @ 7A,10V2.5V @ 250µA11nC @ 10V,17nC @ 10V390pF @ 20V,1080pF @ 20V2.1W(Tj),2.3W(Tj)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOP
RQ7P035ATTCR
QH8JE5TCR
-100V DUAL PCH+PCH, TSMT8, POWER
Rohm Semiconductor
3,000
现货
1 : ¥7.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.04578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-100V2A(Ta)270 毫欧 @ 2A,10V2.5V @ 1mA19.7nC @ 10V590pF @ 50V1.1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-SMD,扁平引线TSMT8
SH8MB4TB1
SH8MB4TB1
40V 4.5A/5.5A, DUAL NCH+PCH, SOP
Rohm Semiconductor
2,490
现货
1 : ¥8.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.57511
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-40V4.5A(Ta),5.5A(Ta)55 毫欧 @ 4.5A,10V,46 毫欧 @ 5.5A,10V2.5V @ 1mA3.5nC @ 10V,17.2nC @ 10V150pF @ 20V,920pF @ 20V2W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOP
MCACD60N06YHE3-TP
MCACD60N06YHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET,PDFN5060-8D
Micro Commercial Co
10,000
现货
1 : ¥18.10000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.83751
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 沟道-60V60A(Tc)6.5 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA34.5nC @ 10V1740pF @ 30V50W(Tj)-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerLDFNPDFN5060-8D
GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P
SIC 1200V 20M MOSFET HALF-BRIDGE
SemiQ
43
现货
1 : ¥494.09000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)2 个 N 通道(半桥)-1200V(1.2kV)102A(Tc)28 毫欧 @ 50A,20V4V @ 20mA241nC @ 20V6500pF @ 800V385W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
GCMX080A120B2H1P
GCMX080A120B2H1P
SIC 1200V 80M MOSFET FULL-BRIDGE
SemiQ
30
现货
1 : ¥345.22000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)4 N 沟道(全桥)-1200V(1.2kV)27A(Tc)100 毫欧 @ 20A,20V4V @ 10mA56nC @ 20V1362pF @ 800V119W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
GCMX040A120B2H1P
GCMX040A120B2H1P
SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
SemiQ
19
现货
1 : ¥494.09000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)4 N 沟道(全桥)-1200V(1.2kV)56A(Tc)52 毫欧 @ 40A,20V4V @ 10mA121nC @ 20V3200pF @ 800V217W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
GCMX040A120B3H1P
GCMX040A120B3H1P
SIC 1200V 40M MOSFET FULL-BRIDGE
SemiQ
20
现货
1 : ¥520.61000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)4 N 沟道(全桥)-1200V(1.2kV)53A(Tc)52 毫欧 @ 40A,20V4V @ 10mA125nC @ 20V3200pF @ 800V208W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
GCMX010A120B2B1P
GCMX010A120B2B1P
SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
SemiQ
10
现货
1 : ¥784.66000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)2 个 N 通道(半桥)-1200V(1.2kV)214A(Tc)12 毫欧 @ 100A,20V4V @ 40mA476nC @ 20V13100pF @ 800V750W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
GCMX020A120B2H1P
GCMX020A120B2H1P
SIC 1200V 20M MOSFET FULL-BRIDGE
SemiQ
10
现货
1 : ¥860.11000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)4 N 沟道(全桥)-1200V(1.2kV)102A(Tc)28 毫欧 @ 50A,20V4V @ 20mA222nC @ 20V5600pF @ 800V333W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
GCMX020A120B3H1P
GCMX020A120B3H1P
SIC 1200V 20M MOSFET FULL-BRIDGE
SemiQ
10
现货
1 : ¥885.03000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)4 N 沟道(全桥)-1200V(1.2kV)93A(Tc)28 毫欧 @ 50A,20V4V @ 20mA250nC @ 20V6700pF @ 800V300W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
GCMX010A120B3B1P
GCMX010A120B3B1P
SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
SemiQ
10
现货
1 : ¥885.03000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)2 个 N 通道(半桥)-1200V(1.2kV)173A(Tc)14 毫欧 @ 100A,20V4V @ 40mA483nC @ 20V13800pF @ 800V577W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P
SIC 1200V 5M MOSFET HALF-BRIDGE
SemiQ
7
现货
1 : ¥1,467.36000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)4 N 沟道(半桥)-1200V(1.2kV)383A(Tc)7 毫欧 @ 200A,20V4V @ 80mA927nC @ 20V23500pF @ 800V1.154kW(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
TQM138KDCU6 RFG
TQM84KDCU6 RFG
-60V, -0.17A, DUAL P-CHANNEL SMA
Taiwan Semiconductor Corporation
0
现货
查看交期
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
18,000 : ¥0.48985
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道-60V170mA(Ta)6 欧姆 @ 170mA,10V2.5V @ 250µA1.9nC @ 10V38.2pF @ 30V320mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-363
0
现货
查看交期
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
18,000 : ¥0.48985
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 沟道-60V330mA(Ta)1.6Ohm @ 330mA, 10V2.5V @ 250µA1.7nC @ 10V27.5pF @ 30V337mW (Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-363
TQM138KDCU6 RFG
TQM138KDCU6 RFG
60V, 0.32A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Taiwan Semiconductor Corporation
0
现货
查看交期
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
18,000 : ¥0.48985
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 沟道-60V320mA(Ta)1.6 欧姆 @ 320mA,10V1.5V @ 250µA1.8nC @ 10V28pF @ 30V320mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SOT-363
0
现货
查看交期
1 : ¥31.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥15.22152
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-40V42A (Ta), 299A (Tc)0.88mOhm @ 50A, 10V2.8V @ 780µA104nC @ 10V6200pF @ 20V3W(Ta),167W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型10-PowerVDFNPG-VITFN-10-1
0
现货
查看交期
1 : ¥32.16000
剪切带(CT)
3,000 : ¥15.67460
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-60V31A (Ta), 233A (Tc)1.6 毫欧 @ 50A,10V3.3V @ 86µA102nC @ 10V6400pF @ 30V3W(Ta),167W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型10-PowerVDFNPG-VITFN-10-1
0
现货
查看交期
1 : ¥33.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥16.42718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-40V42A (Ta), 299A (Tc)0.88mOhm @ 50A, 10V2.8V @ 780µA104nC @ 10V6200pF @ 20V3W(Ta),167W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型10-PowerWDFNPG-WHITFN-10-1
0
现货
查看交期
1 : ¥35.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥17.25656
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-60V31A (Ta), 233A (Tc)1.6 毫欧 @ 50A,10V3.3V @ 86µA102nC @ 10V6400pF @ 30V3W(Ta),167W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型10-PowerWDFNPG-WHITFN-10-1
0
现货
查看交期
1 : ¥38.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥18.98000
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-100V19A (Ta), 139A (Tc)4 毫欧 @ 50A,10V3.8V @ 85µA78nC @ 10V4800pF @ 50V3W(Ta),167W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型10-PowerWDFNPG-WHITFN-10-1
GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1
SIC 1200V 5M MOSFET HALF-BRIDGE
SemiQ
0
现货
查看交期
1 : ¥1,622.47000
托盘
-
托盘
在售碳化硅(SiC)2 个 N 通道(半桥)-1200V(1.2kV)348A(Tc)7 毫欧 @ 200A,20V4V @ 80mA978nC @ 20V29300pF @ 800V1.042kW(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块-
0
现货
查看交期
1 : ¥3,390.33000
在售碳化硅(SiC)2 个 N 通道(半桥)-1200V(1.2kV)190A(Tc)4.44 毫欧 @ 280A,18V5.1V @ 112mA800nC @ 18V24200pF @ 800V--40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块AG-62MMHB
0
现货
查看交期
1 : ¥3,440.68000
在售碳化硅(SiC)2 个 N 通道(半桥)-1200V(1.2kV)220A4.44 毫欧 @ 280A,18V5.1V @ 112mA800nC @ 18V24200pF @ 800V--40°C ~ 175°C(TJ)--底座安装模块AG-62MMHB
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.23854
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售-------------表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363-
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。