单 FET,MOSFET

结果 : 8
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V100 V200 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)12A(Tc)16A(Tc)25A(Tc)45A(Ta)45A(Tc)51A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
13.5 毫欧 @ 25A,10V63 毫欧 @ 25A,10V65 毫欧 @ 25.5A,10V180 毫欧 @ 8A,10V325 毫欧 @ 6A,10V770 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA3V @ 1mA5V @ 1mA5.25V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.5 nC @ 10 V15 nC @ 10 V26 nC @ 10 V43 nC @ 10 V60 nC @ 5 V120 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 25 V740 pF @ 25 V1370 pF @ 25 V2400 pF @ 25 V7000 pF @ 25 V8000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.56W(Ta),40W(Tc)50W(Tc)
工作温度
150°C150°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
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8结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LPTS
RSJ250P10TL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
1,271
现货
1 : ¥22.44000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.59735
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V25A(Tc)4V,10V63 毫欧 @ 25A,10V2.5V @ 1mA60 nC @ 5 V±20V8000 pF @ 25 V-50W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
2,889
现货
1 : ¥14.71000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.97748
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V25A(Tc)4V,10V63 毫欧 @ 25A,10V2.5V @ 1mA60 nC @ 5 V±20V8000 pF @ 25 V-50W(Tc)150°C汽车级AEC-Q101表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
RCJ510N25TL
MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
Rohm Semiconductor
5,015
现货
1 : ¥27.23000
剪切带(CT)
1,000 : ¥18.11845
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V51A(Tc)10V65 毫欧 @ 25.5A,10V5V @ 1mA120 nC @ 10 V±30V7000 pF @ 25 V-1.56W(Ta),40W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
RSJ451N04FRATL
MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Rohm Semiconductor
645
现货
1 : ¥20.00000
剪切带(CT)
1,000 : ¥9.49484
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V45A(Tc)10V13.5 毫欧 @ 25A,10V3V @ 1mA43 nC @ 10 V±20V2400 pF @ 25 V-50W(Tc)150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
RSJ450N04TL
MOSFET N-CH 40V 45A LPTS
Rohm Semiconductor
1,949
现货
1 : ¥17.23000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.16145
卷带(TR)
1,000 : ¥9.39143
卷带(TR)
-
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V45A(Ta)10V13.5 毫欧 @ 25A,10V3V @ 1mA43 nC @ 10 V±20V2400 pF @ 25 V-50W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
RCJ160N20TL
MOSFET N-CH 200V 16A LPTS
Rohm Semiconductor
1,000
现货
1 : ¥13.90000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.60963
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V16A(Tc)10V180 毫欧 @ 8A,10V5.25V @ 1mA26 nC @ 10 V±30V1370 pF @ 25 V-1.56W(Ta),40W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
RCJ081N20TL
MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥9.02000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.97643
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V8A(Tc)10V770 毫欧 @ 4A,10V5.25V @ 1mA8.5 nC @ 10 V±30V330 pF @ 25 V-1.56W(Ta),40W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
RCJ120N20TL
MOSFET N-CH 200V 12A LPTS
Rohm Semiconductor
13
现货
1 : ¥10.16000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.45265
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)200 V12A(Tc)10V325 毫欧 @ 6A,10V5.25V @ 1mA15 nC @ 10 V±30V740 pF @ 25 V-1.56W(Ta),40W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。