单 FET,MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
165 毫欧 @ 11.3A,10V185 毫欧 @ 11.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA4V @ 750µA5V @ 1mA5V @ 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
45 nC @ 10 V70 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1650 pF @ 25 V1850 pF @ 25 V2000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
40W(Tc)245W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
搜索条目

显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LPTS
R6024ENJTL
MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Rohm Semiconductor
831
现货
1 : ¥29.75000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.39948
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V24A(Tc)10V165 毫欧 @ 11.3A,10V4V @ 1mA70 nC @ 10 V±20V1650 pF @ 25 V-40W(Tc)150°C(TJ)表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
R6524ENJTL
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
Rohm Semiconductor
94
现货
1 : ¥52.03000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.50687
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V24A(Tc)10V185 毫欧 @ 11.3A,10V4V @ 750µA70 nC @ 10 V±20V1650 pF @ 25 V-245W(Tc)150°C(TJ)表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
R6024KNJTL
MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥31.30000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.17560
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V24A(Tc)10V165 毫欧 @ 11.3A,10V5V @ 1mA45 nC @ 10 V±20V2000 pF @ 25 V-245W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LPTS
R6524KNJTL
MOSFET N-CH 650V 24A LPTS
Rohm Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥52.03000
剪切带(CT)
1,000 : ¥29.50687
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)650 V24A(Tc)10V185 毫欧 @ 11.3A,10V5V @ 750µA45 nC @ 10 V±20V1850 pF @ 25 V-245W(Tc)150°C(TJ)表面贴装型LPTSTO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。