FET、MOSFET 阵列

结果 : 47
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
停产在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N-通道(双)2 个 N 通道(双),肖特基2 个 P 沟道(双)3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道(3 相桥式)-N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
5.5V12V20V30V40V50V60V-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA100mA(Ta)350mA350mA,250mA2A(Ta)2.2A2.5A(Ta)3A3.5A3.8A4A4A,3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.95 毫欧 @ 8A,4.5V1.6 毫欧 @ 10A,4.5V1.9 毫欧 @ 8A,4.5V3 毫欧 @ 6A,4.5V8 毫欧 @ 15A,10V9.8 毫欧 @ 3A,4.5V10.1 毫欧 @ 15A,10V13 毫欧 @ 6.5A,4.5V14 毫欧 @ 15A,10V16 毫欧 @ 5.5A,10V20 毫欧 @ 10A,10V20 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1.5V @ 1mA2.2V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.9nC @ 4V2nC @ 10V2.3nC @ 4V4nC @ 3.5V4.5nC @ 10V4.6nC @ 4.5V,11nC @ 4.5V5nC @ 10V5.1nC @ 4.5V5.5nC @ 4.5V6.7nC @ 4.5V8.6nC @ 4V9nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6pF @ 3V20pF @ 10V28pF @ 10V160pF @ 10V220pF @ 10V272pF @ 10V290pF @ 10V330pF @ 10V473pF @ 10V520pF @ 10V542pF @ 10V580pF @ 10V
功率 - 最大值
200mW200mW(Ta)1W(Ta),25W(Tc)1W(Ta),44W(Tc)1W(Ta),59W(Tc)1.12W1.15W1.15W(Ta)1.3W1.3W(Ta)1.5W(Ta)1.7W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C-
安装类型
-表面贴装型
封装/外壳
4-VDFN4-XFBGA4-XFLGA,CSP6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-WFDFN 裸露焊盘6-XFLGA8-PowerLDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)20-SOIC(0.433",11.00mm 宽)裸露焊盘20-UFLGA,CSP-SC-95
供应商器件封装
4-EFLIP-LGA(1.62x1.62)4-QFN(2x2)4-WLCSP(1.82x1.82)6-EFLIP-LGA6-EFLIP-LGA(2.17x1.47)6-HUSON(2x2)6-SuperMiniMold8-HSON(5x5.4)8-PSOP8-SOP8-TSSOP20-HSOP20-WLCSP(2.48x1.17)-
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
47结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
5,000
现货
2,500 : ¥5.89726
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V5A(Ta)56 毫欧 @ 2.5A,10V-13.4nC @ 10V640pF @ 10V1.12W150°C--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOP
4,310
现货
1 : ¥16.50000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.44801
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V16A(Tc)39 毫欧 @ 8A,10V2.5V @ 250µA17nC @ 10V750pF @ 25V1W(Ta),25W(Tc)175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerLDFN8-HSON(5x5.4)
4,940
现货
1 : ¥17.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.86299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V30A(Ta)20 毫欧 @ 15A,10V2.5V @ 250µA24nC @ 10V1500pF @ 25V1W(Ta),44W(Tc)175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerLDFN8-HSON(5x5.4)
2,500
现货
1 : ¥17.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.86299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V30A(Tc)21 毫欧 @ 15A,10V4V @ 250µA30nC @ 10V1500pF @ 25V1W(Ta),44W(Tc)175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerLDFN8-HSON(5x5.4)
2,500
现货
1 : ¥17.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.86299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V30A(Tc)10.1 毫欧 @ 15A,10V4V @ 250µA29nC @ 10V1500pF @ 25V1W(Ta),44W(Tc)175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerLDFN8-HSON(5x5.4)
4,990
现货
1 : ¥22.11000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.95977
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-40V30A(Tc)8 毫欧 @ 15A,10V4V @ 250µA41nC @ 10V2400pF @ 25V1W(Ta),59W(Tc)175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerLDFN8-HSON(5x5.4)
4,955
现货
1 : ¥22.28000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.03622
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V30A(Tc)14 毫欧 @ 15A,10V2.5V @ 250µA38nC @ 10V2250pF @ 25V1W(Ta),59W(Tc)175°C汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerLDFN8-HSON(5x5.4)
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V5A58 毫欧 @ 3A,10V2.2V @ 1mA-520pF @ 10V3W150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOP
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V11A16 毫欧 @ 5.5A,10V2.5V @ 1mA22nC @ 10V1400pF @ 10V3W150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOP
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V6A,5A27 毫欧 @ 3A,10V2.5V @ 1mA14nC @ 10V748pF @ 10V2W---表面贴装型8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-PSOP
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门20V350mA,250mA570 毫欧 @ 300mA,4.5V--28pF @ 10V200mW---表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-88
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V6A23 毫欧 @ 3A,4.5V1.5V @ 1mA9nC @ 4V705pF @ 10V2W---表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V350mA570 毫欧 @ 300mA,4.5V--28pF @ 10V200mW---表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-88
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V2.2A69 毫欧 @ 1A,4.5V1.5V @ 1mA2.3nC @ 4V160pF @ 10V1.15W---表面贴装型SC-95-6SC-95-6,薄型迷你型塑模
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门50V100mA20 欧姆 @ 10mA,4V--6pF @ 3V200mW---表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-SuperMiniMold
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V4.5A57 毫欧 @ 2.3A,4.5V2.5V @ 1mA20nC @ 10V870pF @ 10V2W---表面贴装型8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-PSOP
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V3.8A67 毫欧 @ 2A,10V2.5V @ 1mA12nC @ 10V580pF @ 10V1.7W---表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共漏逻辑电平栅极,2.5V 驱动------1.75W150°C(TJ)--表面贴装型6-XFLGA6-EFLIP-LGA
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平栅极,1.8V 驱动20V3A79 毫欧 @ 1.5A,4.5V-5.1nC @ 4.5V473pF @ 10V2.3W150°C(TJ)--表面贴装型6-WFDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道互补型逻辑电平栅极,2.5V 驱动20V4A,3A42 毫欧 @ 2A,4.5V-4.5nC @ 10V330pF @ 10V2.3W150°C(TJ)--表面贴装型6-WFDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,2.5V 驱动20V4A62 毫欧 @ 2A,4.5V-4.5nC @ 10V330pF @ 10V2.3W150°C(TJ)--表面贴装型6-WFDFN 裸露焊盘6-HUSON(2x2)
0
现货
在售
-
管件
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 和 2 P 沟道(全桥)逻辑电平栅极,4V 驱动30V3.5A65 毫欧 @ 2A,10V-5nC @ 10V290pF @ 10V2.2W---表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOP
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共漏逻辑电平栅极,2.5V 驱动----20nC @ 4V-1.8W150°C(TJ)--表面贴装型6-XFLGA6-EFLIP-LGA(2.17x1.47)
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V7A35 毫欧 @ 3.5A,10V-29nC @ 10V1300pF @ 10V2W150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-SOP
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共漏逻辑电平栅极,2.5V 驱动----22nC @ 4V-1.3W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型4-XFBGA4-EFLIP-LGA(1.62x1.62)
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。