FET、MOSFET 阵列

结果 : 483
系列
-*CC, CoolSiC™CoolSiC™CoolSiC™+EasyDUAL™EasyPACK™EasyPACK™ CoolSiC™EasyPACK™, CoolSiC™FASTIRFET™FETKY™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道,共漏2 N-通道(双)2 个 N 沟道2 个 N 通道(半桥)2 个 N 通道(双),肖特基2 个 P 沟道(双)2 个独立式4 N 沟道(全桥)4 个 N 通道6 N 沟道(全桥)6 N-沟道(3 相桥)-N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
12V20V25V30V40V50V55V55V,30V60V80V100V150V200V1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA390mA880mA950mA950mA,530mA1.4A,1.5A1.5A1.7A2A2.1A2.1A,1.5A2.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.88mOhm @ 50A, 10V1.6 毫欧 @ 50A,10V2.13 毫欧 @ 500A,15V2.27 毫欧 @ 400A,18V2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V2.83 毫欧 @ 375A,15V3 毫欧 @ 20A,10V3 毫欧 @ 30A,10V3.1 毫欧 @ 30A,10V3.2 毫欧 @ 20A,10V3.2 毫欧 @ 30A,10V3.4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA700mV @ 250µA(最小)750mV @ 1.6µA750mV @ 11µA900mV @ 250µA1V @ 11µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.1V @ 10µA1.1V @ 35µA1.2V @ 1.5µA1.2V @ 1.6µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.26nC @ 2.5V0.32nC @ 4.5V0.34nC @ 4.5V0.6nC @ 10V0.6nC @ 5V0.62nC @ 4.5V0.73nC @ 4.5V0.8nC @ 5V1.5nC @ 10V1.6nC @ 5V1.7nC @ 2.5V2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF @ 25V47pF @ 10V56pF @ 15V63pF @ 10V78pF @ 10V94pF @ 15V120pF @ 25V143pF @ 10V160pF @ 25V180pF @ 25V190pF @ 15V210pF @ 25V
功率 - 最大值
20mW250mW500mW700mW(Ta),860mW(Ta)960mW1W1.2W1.25W1.3W1.4W1.4W,2W1.5W
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C-40°C ~ 175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
封装/外壳
6-FlipFet™6-PowerVDFN6-VDFN 裸露焊盘6-VSSOP,SC-88,SOT-3638-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)9-PowerWDFN10-PowerVDFN
供应商器件封装
6-FlipFet™6-PQFN 双通道(2x2)6-PQFN(2x2)6-TSOP8-PQFN 双(3.3x3.3)8-PQFN(3.3x3.3),Power338-PQFN(5x6)8-SO8-SOIC8-TSSOP14-SOIC16-FlipFet™
库存选项
环境选项
媒体
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483结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104,879
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60058
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V300mA3 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6nC @ 10V20pF @ 25V500mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-VSSOP,SC-88,SOT-363PG-SOT363-PO
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
148,179
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81426
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V880mA400 毫欧 @ 880mA,2.5V750mV @ 1.6µA0.26nC @ 2.5V78pF @ 10V500mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-VSSOP,SC-88,SOT-363PG-SOT363-PO
IRF9389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Infineon Technologies
29,667
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.67137
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V6.8A,4.6A27 毫欧 @ 6.8A,10V2.3V @ 10µA14nC @ 10V398pF @ 15V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
SC-74, SOT-457
BSL308PEH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Infineon Technologies
25,145
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.88618
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平栅极,4.5V 驱动30V2A80 毫欧 @ 2A,10V1V @ 11µA5nC @ 10V500pF @ 15V500mW-55°C ~ 150°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-6PG-TSOP6-6
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7509TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Infineon Technologies
111,952
现货
1 : ¥6.50000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.46304
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V2.7A,2A110 毫欧 @ 1.7A,10V1V @ 250µA12nC @ 10V210pF @ 25V1.25W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)Micro8™
IRF9362TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Infineon Technologies
28,704
现货
1 : ¥7.40000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.06209
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门30V8A21 毫欧 @ 8A,10V2.4V @ 25µA39nC @ 10V1300pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
IRF7316TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Infineon Technologies
38,114
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.36919
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门30V4.9A58 毫欧 @ 4.9A,10V1V @ 250µA34nC @ 10V710pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
FDMS3622S
IPG20N06S2L65ATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
26,886
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.40943
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门55V20A65 毫欧 @ 15A,10V2V @ 14µA12nC @ 10V410pF @ 25V43W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
PG-TDSON-8-4
IPG20N06S4L26ATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
17,551
现货
1 : ¥8.86000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.49269
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V20A26 毫欧 @ 17A,10V2.2V @ 10µA20nC @ 10V1430pF @ 25V33W-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
IRF7343TRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Infineon Technologies
7,676
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.79275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-55V4.7A,3.4A50 毫欧 @ 4.7A,10V1V @ 250µA36nC @ 10V740pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
IRF7380TRPBF
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Infineon Technologies
5,774
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.78836
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门80V3.6A73 毫欧 @ 2.2A,10V4V @ 250µA23nC @ 10V660pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
IRF7907TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Infineon Technologies
5,455
现货
1 : ¥9.35000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.87915
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V9.1A,11A16.4 毫欧 @ 9.1A,10V2.35V @ 25µA10nC @ 4.5V850pF @ 15V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
24,095
现货
1 : ¥9.59000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.98453
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V8A15 毫欧 @ 9.3A,10V2V @ 250µA17nC @ 10V1300pF @ 15V1.4W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PG-DSO-8
17,985
现货
1 : ¥9.67000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.00773
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-30V-29 毫欧 @ 5.8A,10V1V @ 250µA33nC @ 10V650pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
PG-TDSON-8-4
IPG20N04S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
13,069
现货
1 : ¥9.92000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.90686
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门40V20A11.6 毫欧 @ 17A,10V2.2V @ 15µA26nC @ 10V1990pF @ 25V41W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
IRF7342TRPBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Infineon Technologies
2,213
现货
1 : ¥9.92000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.11004
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门55V3.4A105 毫欧 @ 3.4A,10V1V @ 250µA38nC @ 10V690pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
PG-TDSON-8-10
IPG16N10S4L61AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Infineon Technologies
9,019
现货
1 : ¥10.16000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.01040
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门100V16A61 毫欧 @ 16A,10V2.1V @ 90µA11nC @ 10V845pF @ 25V29W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
IRF9358TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
13,900
现货
1 : ¥10.81000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.46983
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门30V9.2A16.3 毫欧 @ 9.2A,10V2.4V @ 25µA38nC @ 10V1740pF @ 25V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Infineon Technologies
24,947
现货
1 : ¥11.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.80720
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门12V9.2A17 毫欧 @ 9.2A,4.5V900mV @ 250µA57nC @ 4.5V3450pF @ 10V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
PG-TDSON-8-10
IPG20N06S4L14AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
31,287
现货
1 : ¥12.19000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.29927
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V20A13.7 毫欧 @ 17A,10V2.2V @ 20µA39nC @ 10V2890pF @ 25V50W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
IRF7324TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO
Infineon Technologies
15,163
现货
1 : ¥12.60000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.67010
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门20V9A18 毫欧 @ 9A,4.5V1V @ 250µA63nC @ 5V2940pF @ 15V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
PG-TDSON-8-4
IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
37,469
现货
1 : ¥12.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.07144
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门100V20A35 毫欧 @ 17A,10V2.1V @ 16µA17.4nC @ 10V1105pF @ 25V43W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
IRF7351TRPBF
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Infineon Technologies
33,375
现货
1 : ¥13.17000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.94966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V8A17.8 毫欧 @ 8A,10V4V @ 50µA36nC @ 10V1330pF @ 30V2W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SO
FDMS3622S
IPG20N10S436AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
39,220
现货
1 : ¥13.33000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.25184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-100V20A36 毫欧 @ 17A,10V3.5V @ 16µA15nC @ 10V990pF @ 25V43W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装,可润湿侧翼8-PowerVDFNPG-TDSON-8-10
PG-TDSON-8-4
BSC112N06LDATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Infineon Technologies
11,636
现货
1 : ¥13.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.27319
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V20A(Tc)11.2 毫欧 @ 17A,10V2.2V @ 28µA55nC @ 10V4020pF @ 30V65W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型8-PowerVDFNPG-TDSON-8-4
显示
/ 483

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。